发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2009年
2期
201-208
,共8页
AlGaInP LED%出光效率%电极形状%有限元法
AlGaInP LED%齣光效率%電極形狀%有限元法
AlGaInP LED%출광효솔%전겁형상%유한원법
采用有限元法来模拟研究采用透明电极AlGaInP LED出光效率的影响因素和分布情况,并在此基础上对不透明电极进行优化以提高芯片的出光效率.研究发现,随着窗口层厚度的增加,顶面出光效率有所下降,侧面出光效率大大提高,总出光效率呈上升趋势,且总出光效率的最高分布区从芯片的四个直角区域向中央圆形电极边缘靠近.然而,随着芯片尺寸的增加,其变化趋势正好与之相反.在此基础上进一步对普通生产芯片进行模拟分析,得知其光提取效率最高区主要分布在芯片的四个直角区域,并以此为指导进行不透明电极形状的优化,进而对其条形电极的宽度进行优化,可使所获得的出光效率比传统圆形电极提高了62.85%,能够为实际生产提供一定的理论指导.
採用有限元法來模擬研究採用透明電極AlGaInP LED齣光效率的影響因素和分佈情況,併在此基礎上對不透明電極進行優化以提高芯片的齣光效率.研究髮現,隨著窗口層厚度的增加,頂麵齣光效率有所下降,側麵齣光效率大大提高,總齣光效率呈上升趨勢,且總齣光效率的最高分佈區從芯片的四箇直角區域嚮中央圓形電極邊緣靠近.然而,隨著芯片呎吋的增加,其變化趨勢正好與之相反.在此基礎上進一步對普通生產芯片進行模擬分析,得知其光提取效率最高區主要分佈在芯片的四箇直角區域,併以此為指導進行不透明電極形狀的優化,進而對其條形電極的寬度進行優化,可使所穫得的齣光效率比傳統圓形電極提高瞭62.85%,能夠為實際生產提供一定的理論指導.
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