计算机工程与科学
計算機工程與科學
계산궤공정여과학
COMPUTER ENGINEERING & SCIENCE
2010年
10期
30-33,138
,共5页
池雅庆%仲海钦%隋兵才%张超%方粮
池雅慶%仲海欽%隋兵纔%張超%方糧
지아경%중해흠%수병재%장초%방량
室温单电子晶体管%自顶向下工艺%自底向上工艺
室溫單電子晶體管%自頂嚮下工藝%自底嚮上工藝
실온단전자정체관%자정향하공예%자저향상공예
单电子晶体管由于其纳米级的器件尺寸和超低功耗等优点被广泛认为是当前最有应用前景的纳米电子器件之一,实现室温下的正常工作和器件结构的精确控制是其实用化的关键.室温单电子晶体管的主流制备方法为自顶向下工艺和自底向上工艺.自顶向下工艺便于器件集成,但纳米尺度下的制备工艺误差较大,室温单电子晶体管的性质难以稳定;自底向上工艺能够比较容易地制备出室温单电子晶体管,但同样有耦合结构误差较大的问题.在结合自顶向下工艺和自底向上工艺的基础上,引进纳米结构制备的新技术来提高工艺过程的可控性,是下一步室温单电子晶体管制备的研究重点.
單電子晶體管由于其納米級的器件呎吋和超低功耗等優點被廣汎認為是噹前最有應用前景的納米電子器件之一,實現室溫下的正常工作和器件結構的精確控製是其實用化的關鍵.室溫單電子晶體管的主流製備方法為自頂嚮下工藝和自底嚮上工藝.自頂嚮下工藝便于器件集成,但納米呎度下的製備工藝誤差較大,室溫單電子晶體管的性質難以穩定;自底嚮上工藝能夠比較容易地製備齣室溫單電子晶體管,但同樣有耦閤結構誤差較大的問題.在結閤自頂嚮下工藝和自底嚮上工藝的基礎上,引進納米結構製備的新技術來提高工藝過程的可控性,是下一步室溫單電子晶體管製備的研究重點.
단전자정체관유우기납미급적기건척촌화초저공모등우점피엄범인위시당전최유응용전경적납미전자기건지일,실현실온하적정상공작화기건결구적정학공제시기실용화적관건.실온단전자정체관적주류제비방법위자정향하공예화자저향상공예.자정향하공예편우기건집성,단납미척도하적제비공예오차교대,실온단전자정체관적성질난이은정;자저향상공예능구비교용역지제비출실온단전자정체관,단동양유우합결구오차교대적문제.재결합자정향하공예화자저향상공예적기출상,인진납미결구제비적신기술래제고공예과정적가공성,시하일보실온단전자정체관제비적연구중점.