半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2000年
11期
1103-1106
,共4页
α-SiOxNy%光发射
α-SiOxNy%光髮射
α-SiOxNy%광발사
采用PECVD法制备了α-SiOxNy薄膜,观察到两组分立能级的强荧光发射,一组位于紫外光波段,由三个可分辨的发射峰组成,波长分别为330、340和345nm;另一组位于红光波段,由两个发射峰组成,波长分别为735nm和745nm.发射峰依赖于薄膜中氧和氮的同时存在,其强度首先随薄膜中其含量的增加而增强,达到饱和值后,随着其含量的进一步增加而下降.这表明发射峰可能起源于O-Si-N结合而形成的发光中心.
採用PECVD法製備瞭α-SiOxNy薄膜,觀察到兩組分立能級的彊熒光髮射,一組位于紫外光波段,由三箇可分辨的髮射峰組成,波長分彆為330、340和345nm;另一組位于紅光波段,由兩箇髮射峰組成,波長分彆為735nm和745nm.髮射峰依賴于薄膜中氧和氮的同時存在,其彊度首先隨薄膜中其含量的增加而增彊,達到飽和值後,隨著其含量的進一步增加而下降.這錶明髮射峰可能起源于O-Si-N結閤而形成的髮光中心.
채용PECVD법제비료α-SiOxNy박막,관찰도량조분립능급적강형광발사,일조위우자외광파단,유삼개가분변적발사봉조성,파장분별위330、340화345nm;령일조위우홍광파단,유량개발사봉조성,파장분별위735nm화745nm.발사봉의뢰우박막중양화담적동시존재,기강도수선수박막중기함량적증가이증강,체도포화치후,수착기함량적진일보증가이하강.저표명발사봉가능기원우O-Si-N결합이형성적발광중심.
