固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2004年
3期
386-389
,共4页
陈俊芳%吴先球%孙番典%赵智昊%樊双利%符斯列%黄钊洪
陳俊芳%吳先毬%孫番典%趙智昊%樊雙利%符斯列%黃釗洪
진준방%오선구%손번전%조지호%번쌍리%부사렬%황쇠홍
干法刻蚀%等离子体%锑化铟薄膜
榦法刻蝕%等離子體%銻化銦薄膜
간법각식%등리자체%제화인박막
应用感应耦合等离子体技术首次实现了对锑化铟薄膜的干法刻蚀.朗缪尔探针诊断结果表明:射频电源功率为200 W时,在刻蚀样品附近的等离子体离子密度最大达6.717 0×1010 cm-3.以CClF2为刻蚀气体,进气流量2 mL/min,RF功率200 W,等离子体反应刻蚀运行气压7.98 Pa时,对InSb-In薄膜进行了感应耦合等离子体干法刻蚀,获得刻蚀图形,宽深比为5.
應用感應耦閤等離子體技術首次實現瞭對銻化銦薄膜的榦法刻蝕.朗繆爾探針診斷結果錶明:射頻電源功率為200 W時,在刻蝕樣品附近的等離子體離子密度最大達6.717 0×1010 cm-3.以CClF2為刻蝕氣體,進氣流量2 mL/min,RF功率200 W,等離子體反應刻蝕運行氣壓7.98 Pa時,對InSb-In薄膜進行瞭感應耦閤等離子體榦法刻蝕,穫得刻蝕圖形,寬深比為5.
응용감응우합등리자체기술수차실현료대제화인박막적간법각식.랑무이탐침진단결과표명:사빈전원공솔위200 W시,재각식양품부근적등리자체리자밀도최대체6.717 0×1010 cm-3.이CClF2위각식기체,진기류량2 mL/min,RF공솔200 W,등리자체반응각식운행기압7.98 Pa시,대InSb-In박막진행료감응우합등리자체간법각식,획득각식도형,관심비위5.
