材料研究学报
材料研究學報
재료연구학보
CHINESE JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH
2006年
6期
621-625
,共5页
徐天宁%吴惠桢%斯剑霄%曹春芳%黄占超
徐天寧%吳惠楨%斯劍霄%曹春芳%黃佔超
서천저%오혜정%사검소%조춘방%황점초
无机非金属材料%PbSe单晶薄膜%分子束外延%应变弛豫%螺旋结构
無機非金屬材料%PbSe單晶薄膜%分子束外延%應變弛豫%螺鏇結構
무궤비금속재료%PbSe단정박막%분자속외연%응변이예%라선결구
用分子束外延技术在BaF2(111)衬底上生长了PbSe单晶薄膜,观测了表面形貌和微结构.结果表明,在高Se/PbSe束流比(≥0.4)条件下,PbSe按照二维层状模式生长,外延层中的应力通过位错滑移发生塑性形变而获得充分弛豫,获得的PbSe薄膜是具有单原子层平整度的表面台阶和螺旋结构;降低Se/PbSe束流比至0.2,首次在PbSe样品表面观察到规则的三角形纳米孔状结构;当Se/PbSe束流比为0时,PbSe薄膜表面出现三维岛状结构,应力只能得到部分弛豫.在BaF2(111)衬底上分子束外延生长PbSe单晶薄膜的最佳温度为450℃.
用分子束外延技術在BaF2(111)襯底上生長瞭PbSe單晶薄膜,觀測瞭錶麵形貌和微結構.結果錶明,在高Se/PbSe束流比(≥0.4)條件下,PbSe按照二維層狀模式生長,外延層中的應力通過位錯滑移髮生塑性形變而穫得充分弛豫,穫得的PbSe薄膜是具有單原子層平整度的錶麵檯階和螺鏇結構;降低Se/PbSe束流比至0.2,首次在PbSe樣品錶麵觀察到規則的三角形納米孔狀結構;噹Se/PbSe束流比為0時,PbSe薄膜錶麵齣現三維島狀結構,應力隻能得到部分弛豫.在BaF2(111)襯底上分子束外延生長PbSe單晶薄膜的最佳溫度為450℃.
용분자속외연기술재BaF2(111)츤저상생장료PbSe단정박막,관측료표면형모화미결구.결과표명,재고Se/PbSe속류비(≥0.4)조건하,PbSe안조이유층상모식생장,외연층중적응력통과위착활이발생소성형변이획득충분이예,획득적PbSe박막시구유단원자층평정도적표면태계화라선결구;강저Se/PbSe속류비지0.2,수차재PbSe양품표면관찰도규칙적삼각형납미공상결구;당Se/PbSe속류비위0시,PbSe박막표면출현삼유도상결구,응력지능득도부분이예.재BaF2(111)츤저상분자속외연생장PbSe단정박막적최가온도위450℃.
