SiC隐埋沟道MOS结构夹断模式下的C-V特性畸变
SiC은매구도MOS결구협단모식하적C-V특성기변
C-V Characteristic Distortion in the Pinch-Off Mode of a Buried Channel MOS Structure in 4H-SiC
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2006年 7期 1259-1263 ,共5页

    郜锦侠%张义门%张玉明

    고금협%장의문%장옥명

    埋沟MOS结构%夹断模式%C-V特性%SiC%畸变 埋溝MOS結構%夾斷模式%C-V特性%SiC%畸變
    매구MOS결구%협단모식%C-V특성%SiC%기변
    用数值和解析的方法研究了SiC隐埋沟道MOS结构夹断模式下C-V特性的畸变.隐埋沟道MOSFET中存在一个pn结,在沟道夹断以后,半导体表面耗尽区和pn结耗尽区连在一起,这时总的表面电容是半导体表面耗尽区电容和pn结电容的串联,使埋沟MOS结构的C-V特性发生畸变.文中通过求解泊松方程,用解析的方法分析了这种畸变发生的物理机理,并对栅电容进行了计算,计算结果与实验结果符合得很好.
    용수치화해석적방법연구료SiC은매구도MOS결구협단모식하C-V특성적기변.은매구도MOSFET중존재일개pn결,재구도협단이후,반도체표면모진구화pn결모진구련재일기,저시총적표면전용시반도체표면모진구전용화pn결전용적천련,사매구MOS결구적C-V특성발생기변.문중통과구해박송방정,용해석적방법분석료저충기변발생적물리궤리,병대책전용진행료계산,계산결과여실험결과부합득흔호.
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