高技术通讯
高技術通訊
고기술통신
HIGH TECHNOLOGY LETTERS
2006年
11期
1149-1153
,共5页
刘洪%蒲朝辉%龚小刚%肖定全%朱建国
劉洪%蒲朝輝%龔小剛%肖定全%硃建國
류홍%포조휘%공소강%초정전%주건국
掺镧钛酸铅%铁电薄膜%溅射%热释电
摻鑭鈦痠鉛%鐵電薄膜%濺射%熱釋電
참란태산연%철전박막%천사%열석전
采用射频磁控溅射技术在Pt/Ti/SiO2/Si(100)基底上生长了掺镧钛酸铅[(Pb0.9La0.1)TiO3, PLT10]铁电薄膜.用X射线衍射研究了PLT10薄膜的结晶相结构.分别使用原子力显微镜和压电响应力显微镜观察了PLT10铁电薄膜的表面形貌和对应区域的电畴结构.测试了PLT10铁电薄膜的电学参数,研究了PLT10铁电薄膜的制备条件与其性能之间的关系.发现在优化条件下制备的PLT10铁电薄膜的介电常数εr为365,介电损耗tgδ为0.02,热释电系数γ为2.20×10-8C·(cm2·K)-1,可以满足制备非制冷红外探测器的需要.
採用射頻磁控濺射技術在Pt/Ti/SiO2/Si(100)基底上生長瞭摻鑭鈦痠鉛[(Pb0.9La0.1)TiO3, PLT10]鐵電薄膜.用X射線衍射研究瞭PLT10薄膜的結晶相結構.分彆使用原子力顯微鏡和壓電響應力顯微鏡觀察瞭PLT10鐵電薄膜的錶麵形貌和對應區域的電疇結構.測試瞭PLT10鐵電薄膜的電學參數,研究瞭PLT10鐵電薄膜的製備條件與其性能之間的關繫.髮現在優化條件下製備的PLT10鐵電薄膜的介電常數εr為365,介電損耗tgδ為0.02,熱釋電繫數γ為2.20×10-8C·(cm2·K)-1,可以滿足製備非製冷紅外探測器的需要.
채용사빈자공천사기술재Pt/Ti/SiO2/Si(100)기저상생장료참란태산연[(Pb0.9La0.1)TiO3, PLT10]철전박막.용X사선연사연구료PLT10박막적결정상결구.분별사용원자력현미경화압전향응력현미경관찰료PLT10철전박막적표면형모화대응구역적전주결구.측시료PLT10철전박막적전학삼수,연구료PLT10철전박막적제비조건여기성능지간적관계.발현재우화조건하제비적PLT10철전박막적개전상수εr위365,개전손모tgδ위0.02,열석전계수γ위2.20×10-8C·(cm2·K)-1,가이만족제비비제랭홍외탐측기적수요.
