电子与封装
電子與封裝
전자여봉장
EIECTRONICS AND PACKAGING
2009年
12期
11-16
,共6页
静电泄放(ESD)%栅极接地NMOS(GGNMOS)%骤回特性
靜電洩放(ESD)%柵極接地NMOS(GGNMOS)%驟迴特性
정전설방(ESD)%책겁접지NMOS(GGNMOS)%취회특성
当ESD事件发生时,栅极接地NMOS晶体管是很容易被静电所击穿的.NMOS器件的ESD保护机理主要是利用该晶体管的骤回特性.文章对NMOS管的骤回特性进行了详细研究,利用特殊设计的GGNMOS管实现ESD保护器件.文章基于0.13μ m硅化物CMOS工艺,设计并制作了各种具有不同版图参数和不同版图布局的栅极接地NMOS晶体管,通过TLP测试获得了实验结果,并对结果进行了分析比较,详细讨论了栅极接地NMOS晶体管器件的版图参数和版图布局对其骤回特性的影响.通过这些试验结果,设计者可以预先估计GGNMOS在大ESD电流情况下的行为特性.
噹ESD事件髮生時,柵極接地NMOS晶體管是很容易被靜電所擊穿的.NMOS器件的ESD保護機理主要是利用該晶體管的驟迴特性.文章對NMOS管的驟迴特性進行瞭詳細研究,利用特殊設計的GGNMOS管實現ESD保護器件.文章基于0.13μ m硅化物CMOS工藝,設計併製作瞭各種具有不同版圖參數和不同版圖佈跼的柵極接地NMOS晶體管,通過TLP測試穫得瞭實驗結果,併對結果進行瞭分析比較,詳細討論瞭柵極接地NMOS晶體管器件的版圖參數和版圖佈跼對其驟迴特性的影響.通過這些試驗結果,設計者可以預先估計GGNMOS在大ESD電流情況下的行為特性.
당ESD사건발생시,책겁접지NMOS정체관시흔용역피정전소격천적.NMOS기건적ESD보호궤리주요시이용해정체관적취회특성.문장대NMOS관적취회특성진행료상세연구,이용특수설계적GGNMOS관실현ESD보호기건.문장기우0.13μ m규화물CMOS공예,설계병제작료각충구유불동판도삼수화불동판도포국적책겁접지NMOS정체관,통과TLP측시획득료실험결과,병대결과진행료분석비교,상세토론료책겁접지NMOS정체관기건적판도삼수화판도포국대기취회특성적영향.통과저사시험결과,설계자가이예선고계GGNMOS재대ESD전류정황하적행위특성.
