真空科学与技术学报
真空科學與技術學報
진공과학여기술학보
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY
2012年
2期
109-113
,共5页
刘振华%刘宝琴%张春伟%王书昶%刘拥军%何军辉
劉振華%劉寶琴%張春偉%王書昶%劉擁軍%何軍輝
류진화%류보금%장춘위%왕서창%류옹군%하군휘
InSnGaMo复合氧化物薄膜%透明导电薄膜%脉冲激光沉积%光电性能
InSnGaMo複閤氧化物薄膜%透明導電薄膜%脈遲激光沉積%光電性能
InSnGaMo복합양화물박막%투명도전박막%맥충격광침적%광전성능
利用脉冲激光沉积法在石英衬底上制备出了可见光透过率高、电阻率极低的Ga,Mo共掺杂TTO基InSnGaMo复合氧化物薄膜.研究了衬底温度对薄膜结构、表面形貌、光电性能的影响.实验结果表明:衬底温度对InSnGaMo复合氧化物薄膜形貌、光电性能均有很大影响.X射线衍射、扫描电镜和霍尔测试结果表明,随着衬底温度的升高,薄膜晶粒度增大,电阻率快速下降,可见光平均透过率明显提高.当衬底温度为450℃时,InSnGaMo复合氧化物薄膜的电阻率最低为4.15×10-4Ω·cm,载流子浓度和迁移率最大分别为3× 1020 cm-3,45 cm2 V-1s-1,在可见及近红外区平均透过率达92%,特别地,波长为362nm时,最高透射率可达99%.
利用脈遲激光沉積法在石英襯底上製備齣瞭可見光透過率高、電阻率極低的Ga,Mo共摻雜TTO基InSnGaMo複閤氧化物薄膜.研究瞭襯底溫度對薄膜結構、錶麵形貌、光電性能的影響.實驗結果錶明:襯底溫度對InSnGaMo複閤氧化物薄膜形貌、光電性能均有很大影響.X射線衍射、掃描電鏡和霍爾測試結果錶明,隨著襯底溫度的升高,薄膜晶粒度增大,電阻率快速下降,可見光平均透過率明顯提高.噹襯底溫度為450℃時,InSnGaMo複閤氧化物薄膜的電阻率最低為4.15×10-4Ω·cm,載流子濃度和遷移率最大分彆為3× 1020 cm-3,45 cm2 V-1s-1,在可見及近紅外區平均透過率達92%,特彆地,波長為362nm時,最高透射率可達99%.
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