安徽工业大学学报(自然科学版)
安徽工業大學學報(自然科學版)
안휘공업대학학보(자연과학판)
JOURNAL OF ANHUI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY
2001年
3期
188-192
,共5页
多层膜%巨磁电阻效应%层间耦合
多層膜%巨磁電阻效應%層間耦閤
다층막%거자전조효응%층간우합
研究了 Cu掺杂对 Fe/Si多层膜的层间耦合和负磁电阻效应的影响。在用磁控溅射方法制备的 Fe/Si多层膜中,发现在 Si的标称厚度 tSi=1.9 nm附近存在一较强的反铁磁耦合( AFM)峰和与之相对应的负磁电阻峰。在 Si层中掺入 6%的 Cu后,发现反铁磁耦合峰的饱和场显著降低,峰宽变窄,峰位略向较厚方向移动。掺杂后磁电阻峰的缝宽和峰位变化与 AFM峰相似,而磁电阻峰值则略有下降。在液氮温度 T=77 K下,掺杂前后具有负磁电阻效应的多层膜样品的电阻率都降低,而磁电阻效应和饱和场均增大。实验结果表明,用磁控溅射方法制备的 Fe/Si多层膜的层间耦合机制和磁电阻效应的机制与磁性金属 /非磁金属多层膜的层间耦合及磁电阻效应的机制是一致的。
研究瞭 Cu摻雜對 Fe/Si多層膜的層間耦閤和負磁電阻效應的影響。在用磁控濺射方法製備的 Fe/Si多層膜中,髮現在 Si的標稱厚度 tSi=1.9 nm附近存在一較彊的反鐵磁耦閤( AFM)峰和與之相對應的負磁電阻峰。在 Si層中摻入 6%的 Cu後,髮現反鐵磁耦閤峰的飽和場顯著降低,峰寬變窄,峰位略嚮較厚方嚮移動。摻雜後磁電阻峰的縫寬和峰位變化與 AFM峰相似,而磁電阻峰值則略有下降。在液氮溫度 T=77 K下,摻雜前後具有負磁電阻效應的多層膜樣品的電阻率都降低,而磁電阻效應和飽和場均增大。實驗結果錶明,用磁控濺射方法製備的 Fe/Si多層膜的層間耦閤機製和磁電阻效應的機製與磁性金屬 /非磁金屬多層膜的層間耦閤及磁電阻效應的機製是一緻的。
연구료 Cu참잡대 Fe/Si다층막적층간우합화부자전조효응적영향。재용자공천사방법제비적 Fe/Si다층막중,발현재 Si적표칭후도 tSi=1.9 nm부근존재일교강적반철자우합( AFM)봉화여지상대응적부자전조봉。재 Si층중참입 6%적 Cu후,발현반철자우합봉적포화장현저강저,봉관변착,봉위략향교후방향이동。참잡후자전조봉적봉관화봉위변화여 AFM봉상사,이자전조봉치칙략유하강。재액담온도 T=77 K하,참잡전후구유부자전조효응적다층막양품적전조솔도강저,이자전조효응화포화장균증대。실험결과표명,용자공천사방법제비적 Fe/Si다층막적층간우합궤제화자전조효응적궤제여자성금속 /비자금속다층막적층간우합급자전조효응적궤제시일치적。
Two series of [Fe(3 nm)/Si(tSi)]30 and [Fe(3 nm)/Si94Cu6(tSiCu)]30 Multilayers were prepared by magnetron sputtering method, and the Cu doping effect on the interlayer coupling and negative magnetoresistance of Fe/Si multilayers was studied. It was found that a strong antiferromagnetic (AFM) coupling existed for [Fe(3 nm)/Si(tSi)]30 multilayers with tSi= 1nm to 3nm. After doping 6% Cu in the Si spacer the AFM coupling peak shifted to thicker spacer with narrower peak width and the saturation field decreased significantly, while the MR peak decreased slightly. Both saturation field and value of MR ratio increased and the resistance decreased at 77 K for the Cu doped and without doped samples with AFM coupling. Our data suggest that the mechanisms of AFM coupling and GMR effect in our sputtered Fe/Si multilayers are the same as in metal/metal system.