人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2003年
5期
413-419
,共7页
刘峰松%顾牡%姚明珍%梁玲%陈铭南
劉峰鬆%顧牡%姚明珍%樑玲%陳銘南
류봉송%고모%요명진%량령%진명남
掺钇钨酸铅晶体%密度泛函理论%吸收中心%态密度
摻釔鎢痠鉛晶體%密度汎函理論%吸收中心%態密度
참을오산연정체%밀도범함이론%흡수중심%태밀도
采用基于密度泛函理论的相对论性离散变分和嵌入团簇方法,计算了掺钇PbWO4晶体中多种相关缺陷的电荷分布和不同团簇缺陷结合能,并讨论了相关缺陷的电荷补偿机制.VPb是掺Y钨酸铅晶体中主要的电荷补偿方式.YPb3++VPb相关缺陷可能是晶体中存在的主要缺陷,其中[2(Y3+Pb)-VPb'']在晶体中更稳定.缺陷态[2(Y3+Pb)-VPb'']和[(Y3+Pb)-VPb'']的态密度分布及其激发能的计算结果表明:掺Y晶体O2p→W5d的跃迁能量均为4.3eV,使周围WO42-禁带宽度增大,可改善420nm与350nm的吸收,并通过减少VPb-VO联合空位可有效抑制PbWO4晶体的本征吸收.晶体中掺Y与掺La对发光影响不同,掺Y可敏化PWO晶体的蓝发光.
採用基于密度汎函理論的相對論性離散變分和嵌入糰簇方法,計算瞭摻釔PbWO4晶體中多種相關缺陷的電荷分佈和不同糰簇缺陷結閤能,併討論瞭相關缺陷的電荷補償機製.VPb是摻Y鎢痠鉛晶體中主要的電荷補償方式.YPb3++VPb相關缺陷可能是晶體中存在的主要缺陷,其中[2(Y3+Pb)-VPb'']在晶體中更穩定.缺陷態[2(Y3+Pb)-VPb'']和[(Y3+Pb)-VPb'']的態密度分佈及其激髮能的計算結果錶明:摻Y晶體O2p→W5d的躍遷能量均為4.3eV,使週圍WO42-禁帶寬度增大,可改善420nm與350nm的吸收,併通過減少VPb-VO聯閤空位可有效抑製PbWO4晶體的本徵吸收.晶體中摻Y與摻La對髮光影響不同,摻Y可敏化PWO晶體的藍髮光.
채용기우밀도범함이론적상대론성리산변분화감입단족방법,계산료참을PbWO4정체중다충상관결함적전하분포화불동단족결함결합능,병토론료상관결함적전하보상궤제.VPb시참Y오산연정체중주요적전하보상방식.YPb3++VPb상관결함가능시정체중존재적주요결함,기중[2(Y3+Pb)-VPb'']재정체중경은정.결함태[2(Y3+Pb)-VPb'']화[(Y3+Pb)-VPb'']적태밀도분포급기격발능적계산결과표명:참Y정체O2p→W5d적약천능량균위4.3eV,사주위WO42-금대관도증대,가개선420nm여350nm적흡수,병통과감소VPb-VO연합공위가유효억제PbWO4정체적본정흡수.정체중참Y여참La대발광영향불동,참Y가민화PWO정체적람발광.
