光电子·激光
光電子·激光
광전자·격광
JOURNAL OF OPTOECTRONICS·LASER
2006年
3期
261-264
,共4页
杨保和%陈希明%赵捷%杨晓苹%徐晟%李明
楊保和%陳希明%趙捷%楊曉蘋%徐晟%李明
양보화%진희명%조첩%양효평%서성%리명
声表面波(SAW)%LiNbO3薄膜%金刚石%射频磁控溅射%择优取向
聲錶麵波(SAW)%LiNbO3薄膜%金剛石%射頻磁控濺射%擇優取嚮
성표면파(SAW)%LiNbO3박막%금강석%사빈자공천사%택우취향
采用射频(RF)磁控溅射法在金刚石(111)衬底上沉积LiNbO3(LN)薄膜,借助X射线衍射技术(XRD),研究了外加偏压(0～80 V)和衬底温度(200～500℃)等工艺参数对LiNbO3薄膜结构和取向性的影响.实验结果表明,在衬底温度为200℃、外加偏压为-80 V的工艺条件下,LiNbO3的(006)衍射峰强度超过LN的(012)衍射峰强度,在金刚石(111)衬底上获得较高c轴取向的LN薄膜.并且对c轴择优取向LN薄膜的形成机理进行了探讨.
採用射頻(RF)磁控濺射法在金剛石(111)襯底上沉積LiNbO3(LN)薄膜,藉助X射線衍射技術(XRD),研究瞭外加偏壓(0～80 V)和襯底溫度(200～500℃)等工藝參數對LiNbO3薄膜結構和取嚮性的影響.實驗結果錶明,在襯底溫度為200℃、外加偏壓為-80 V的工藝條件下,LiNbO3的(006)衍射峰彊度超過LN的(012)衍射峰彊度,在金剛石(111)襯底上穫得較高c軸取嚮的LN薄膜.併且對c軸擇優取嚮LN薄膜的形成機理進行瞭探討.
채용사빈(RF)자공천사법재금강석(111)츤저상침적LiNbO3(LN)박막,차조X사선연사기술(XRD),연구료외가편압(0～80 V)화츤저온도(200～500℃)등공예삼수대LiNbO3박막결구화취향성적영향.실험결과표명,재츤저온도위200℃、외가편압위-80 V적공예조건하,LiNbO3적(006)연사봉강도초과LN적(012)연사봉강도,재금강석(111)츤저상획득교고c축취향적LN박막.병차대c축택우취향LN박막적형성궤리진행료탐토.
