微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2009年
10期
621-626,635
,共7页
姚光锐%范广涵%李军%杨昊%胡胜蓝
姚光銳%範廣涵%李軍%楊昊%鬍勝藍
요광예%범엄함%리군%양호%호성람
p型氮化镓%n型氮化镓%湿法刻蚀%紫外光增强%机理%应用
p型氮化鎵%n型氮化鎵%濕法刻蝕%紫外光增彊%機理%應用
p형담화가%n형담화가%습법각식%자외광증강%궤리%응용
对掺杂GaN的湿法刻蚀研究进行了总结,回顾了不同的湿法刻蚀技术,包括传统的酸碱化学刻蚀和电化学刻蚀.从掺杂GaN的生长过程、表面化学组分和光电性质出发,深入地分析了湿法刻蚀的特性,对比了不同刻蚀方法的原理和效果.考虑到p-GaN的表面氧化层比较厚,接触电阻较大,能带向下弯曲不能进行光增强湿法刻蚀,重点阐述了p-GaN的传统湿法刻蚀和n-GaN的紫外光增强湿法刻蚀技术.与传统化学刻蚀相比,光增强湿法刻蚀具有更为广阔的前景.结合GaN基半导体器件的制作,对湿法刻蚀的主要应用进行了较为详细的归纳.目前,湿法刻蚀和干法刻蚀可以有效结合.将来湿法刻蚀有希望代替干法刻蚀.
對摻雜GaN的濕法刻蝕研究進行瞭總結,迴顧瞭不同的濕法刻蝕技術,包括傳統的痠堿化學刻蝕和電化學刻蝕.從摻雜GaN的生長過程、錶麵化學組分和光電性質齣髮,深入地分析瞭濕法刻蝕的特性,對比瞭不同刻蝕方法的原理和效果.攷慮到p-GaN的錶麵氧化層比較厚,接觸電阻較大,能帶嚮下彎麯不能進行光增彊濕法刻蝕,重點闡述瞭p-GaN的傳統濕法刻蝕和n-GaN的紫外光增彊濕法刻蝕技術.與傳統化學刻蝕相比,光增彊濕法刻蝕具有更為廣闊的前景.結閤GaN基半導體器件的製作,對濕法刻蝕的主要應用進行瞭較為詳細的歸納.目前,濕法刻蝕和榦法刻蝕可以有效結閤.將來濕法刻蝕有希望代替榦法刻蝕.
대참잡GaN적습법각식연구진행료총결,회고료불동적습법각식기술,포괄전통적산감화학각식화전화학각식.종참잡GaN적생장과정、표면화학조분화광전성질출발,심입지분석료습법각식적특성,대비료불동각식방법적원리화효과.고필도p-GaN적표면양화층비교후,접촉전조교대,능대향하만곡불능진행광증강습법각식,중점천술료p-GaN적전통습법각식화n-GaN적자외광증강습법각식기술.여전통화학각식상비,광증강습법각식구유경위엄활적전경.결합GaN기반도체기건적제작,대습법각식적주요응용진행료교위상세적귀납.목전,습법각식화간법각식가이유효결합.장래습법각식유희망대체간법각식.
