河北工业大学学报
河北工業大學學報
하북공업대학학보
JOURNAL OF HEBEI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY
2011年
3期
10-14
,共5页
何彦刚%王家喜%甘小伟%刘玉岭
何彥剛%王傢喜%甘小偉%劉玉嶺
하언강%왕가희%감소위%류옥령
低压%碱性抛光液%化学机械抛光%铜%极大规模集成电路
低壓%堿性拋光液%化學機械拋光%銅%極大規模集成電路
저압%감성포광액%화학궤계포광%동%겁대규모집성전로
对低压下铜化学机械抛光(CMP)碱性抛光液的性能进行了研究.在分析碱性抛光液作用机理的基础上,对铜移除速率、表面粗糙度等性能进行了考察.结果表明:加入络合剂R(NH2)m(OH)n实现铜在碱性抛光液中的溶解,同时提高了的铜移除速率(41.34kPa:1050nm/min; 6.89kPa:440nm/min)并降低了表面粗糙度:在较高压力(41.34kPa)下,铜晶圆表面粗糙度虽然从18.2 nm降至2.19 nm,但仍有明显的划伤存在,并且最大划伤达到了18.2 nm;在低压下(6.89 kPa),铜晶圆表面粗糙度从13.5 nm降至0.42 nm,最大划伤只有1.8nm,可满足45 nm极大规模集成电路的光刻焦深要求.
對低壓下銅化學機械拋光(CMP)堿性拋光液的性能進行瞭研究.在分析堿性拋光液作用機理的基礎上,對銅移除速率、錶麵粗糙度等性能進行瞭攷察.結果錶明:加入絡閤劑R(NH2)m(OH)n實現銅在堿性拋光液中的溶解,同時提高瞭的銅移除速率(41.34kPa:1050nm/min; 6.89kPa:440nm/min)併降低瞭錶麵粗糙度:在較高壓力(41.34kPa)下,銅晶圓錶麵粗糙度雖然從18.2 nm降至2.19 nm,但仍有明顯的劃傷存在,併且最大劃傷達到瞭18.2 nm;在低壓下(6.89 kPa),銅晶圓錶麵粗糙度從13.5 nm降至0.42 nm,最大劃傷隻有1.8nm,可滿足45 nm極大規模集成電路的光刻焦深要求.
대저압하동화학궤계포광(CMP)감성포광액적성능진행료연구.재분석감성포광액작용궤리적기출상,대동이제속솔、표면조조도등성능진행료고찰.결과표명:가입락합제R(NH2)m(OH)n실현동재감성포광액중적용해,동시제고료적동이제속솔(41.34kPa:1050nm/min; 6.89kPa:440nm/min)병강저료표면조조도:재교고압력(41.34kPa)하,동정원표면조조도수연종18.2 nm강지2.19 nm,단잉유명현적화상존재,병차최대화상체도료18.2 nm;재저압하(6.89 kPa),동정원표면조조도종13.5 nm강지0.42 nm,최대화상지유1.8nm,가만족45 nm겁대규모집성전로적광각초심요구.
