半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2004年
10期
15-19
,共5页
唐文洁%刘之景%陶进绪%刘磁辉
唐文潔%劉之景%陶進緒%劉磁輝
당문길%류지경%도진서%류자휘
纳米晶%MOS型存储器%存储特性
納米晶%MOS型存儲器%存儲特性
납미정%MOS형존저기%존저특성
常温下硅纳米晶构成的MOSFET存储器具有低压、低功耗、体积小、高剂量和快速读写等优良特性,在ULSI中有重要的应用前景.它是当前ULSI研究中的一项热门专题,在国外一些著名刊物上屡见报道.本文介绍了这种器件的存储特性及其机理与最新研究进展.
常溫下硅納米晶構成的MOSFET存儲器具有低壓、低功耗、體積小、高劑量和快速讀寫等優良特性,在ULSI中有重要的應用前景.它是噹前ULSI研究中的一項熱門專題,在國外一些著名刊物上屢見報道.本文介紹瞭這種器件的存儲特性及其機理與最新研究進展.
상온하규납미정구성적MOSFET존저기구유저압、저공모、체적소、고제량화쾌속독사등우량특성,재ULSI중유중요적응용전경.타시당전ULSI연구중적일항열문전제,재국외일사저명간물상루견보도.본문개소료저충기건적존저특성급기궤리여최신연구진전.
