物理学报
物理學報
물이학보
2005年
1期
269-273
,共5页
王晓强%栗军帅%陈强%祁菁%尹旻%贺德衍
王曉彊%慄軍帥%陳彊%祁菁%尹旻%賀德衍
왕효강%률군수%진강%기정%윤민%하덕연
电感耦合等离子体CVD%Al诱导晶化%Si薄膜%低温生长
電感耦閤等離子體CVD%Al誘導晶化%Si薄膜%低溫生長
전감우합등리자체CVD%Al유도정화%Si박막%저온생장
利用电感耦合等离子体CVD方法在350℃的低温下在镀Al玻璃衬底上制备出具有良好结晶性的Si薄膜.利用x射线衍射、紫外-可见分光椭圆偏振谱、原子力显微镜及x射线光电子谱等研究了薄膜的结构、表面形貌和成分分布等.结果表明,用这种方法制备的Si薄膜不但晶化程度高,而且具有良好的(111)结晶取向性,晶粒尺寸大于300 nm,样品中无Al的残留.结合电感耦合等离子体的高电子密度特征讨论了低温生长过程中Al诱导Si薄膜晶化的机理.
利用電感耦閤等離子體CVD方法在350℃的低溫下在鍍Al玻璃襯底上製備齣具有良好結晶性的Si薄膜.利用x射線衍射、紫外-可見分光橢圓偏振譜、原子力顯微鏡及x射線光電子譜等研究瞭薄膜的結構、錶麵形貌和成分分佈等.結果錶明,用這種方法製備的Si薄膜不但晶化程度高,而且具有良好的(111)結晶取嚮性,晶粒呎吋大于300 nm,樣品中無Al的殘留.結閤電感耦閤等離子體的高電子密度特徵討論瞭低溫生長過程中Al誘導Si薄膜晶化的機理.
이용전감우합등리자체CVD방법재350℃적저온하재도Al파리츤저상제비출구유량호결정성적Si박막.이용x사선연사、자외-가견분광타원편진보、원자력현미경급x사선광전자보등연구료박막적결구、표면형모화성분분포등.결과표명,용저충방법제비적Si박막불단정화정도고,이차구유량호적(111)결정취향성,정립척촌대우300 nm,양품중무Al적잔류.결합전감우합등리자체적고전자밀도특정토론료저온생장과정중Al유도Si박막정화적궤리.
