半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2005年
2期
115-117
,共3页
叶嗣荣%肖灿%黄烈云%向勇军
葉嗣榮%肖燦%黃烈雲%嚮勇軍
협사영%초찬%황렬운%향용군
AlGaN%剥离技术%紫外探测器
AlGaN%剝離技術%紫外探測器
AlGaN%박리기술%자외탐측기
采用剥离技术,实现了GaN基紫外探测器件与硅读出电路的倒焊对接,对提高GaN基紫外图像传感器的电学特性起到了重要的作用.介绍了剥离技术的原理,实验结果分析及应用.
採用剝離技術,實現瞭GaN基紫外探測器件與硅讀齣電路的倒銲對接,對提高GaN基紫外圖像傳感器的電學特性起到瞭重要的作用.介紹瞭剝離技術的原理,實驗結果分析及應用.
채용박리기술,실현료GaN기자외탐측기건여규독출전로적도한대접,대제고GaN기자외도상전감기적전학특성기도료중요적작용.개소료박리기술적원리,실험결과분석급응용.
