LSAT(111)衬底上ZnO单晶薄膜的分子束外延生长
LSAT(111)츤저상ZnO단정박막적분자속외연생장
Growth of ZnO Thin Films on LSAT(111) Substrates by Radio Frequency Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2005年 z1期 82-86 ,共5页

    英敏菊%杜小龙%刘玉资%曾兆权%梅增霞%郑浩%袁洪涛%贾金锋%薛其坤%张泽

    영민국%두소룡%류옥자%증조권%매증하%정호%원홍도%가금봉%설기곤%장택

    ZnO单晶薄膜%RF-MBE%LSAT(111)%旋转畴%外延取向 ZnO單晶薄膜%RF-MBE%LSAT(111)%鏇轉疇%外延取嚮
    ZnO단정박막%RF-MBE%LSAT(111)%선전주%외연취향
    利用射频等离子体辅助分子束外延技术,在LSAT(111)衬底上制备高质量ZnO单晶薄膜.研究了衬底表面预处理及生长温度对ZnO外延膜的生长过程、外延取向关系以及表面形貌的影响.发现在较低温度下生长ZnO时,薄膜中容易形成30°旋转畴,而在较高温度下,可完全消除薄膜中的旋转畴,得到具有单一畴的ZnO单晶薄膜,讨论了旋转畴的起源以及生长温度对于消除旋转畴的作用.锐利的3×3 RHEED图像验证了ZnO薄膜具有O极性.
    이용사빈등리자체보조분자속외연기술,재LSAT(111)츤저상제비고질량ZnO단정박막.연구료츤저표면예처리급생장온도대ZnO외연막적생장과정、외연취향관계이급표면형모적영향.발현재교저온도하생장ZnO시,박막중용역형성30°선전주,이재교고온도하,가완전소제박막중적선전주,득도구유단일주적ZnO단정박막,토론료선전주적기원이급생장온도대우소제선전주적작용.예리적3×3 RHEED도상험증료ZnO박막구유O겁성.
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