武汉大学学报（理学版）
武漢大學學報（理學版）
무한대학학보（이학판）
JOURNAL OF WUHAN UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE EDITION)
2007年
3期
337-341
,共5页
李金钗%朱昱%卢红兵%田玉
李金釵%硃昱%盧紅兵%田玉
리금차%주욱%로홍병%전옥
ZnO纳米杆%可控生长%电化学沉积%缓冲层
ZnO納米桿%可控生長%電化學沉積%緩遲層
ZnO납미간%가공생장%전화학침적%완충층
以溶胶-凝胶法制备c轴取向为主的ZnO薄膜作缓冲层,采用阴极电化学沉积技术制备高c轴取向ZnO纳米结构.在0.7 mA/cm2的恒定电流密度下生长出直径约50 nm、密度为2.5×107 mm-2的垂直向上的ZnO纳米杆阵列,通过逐渐增大电流密度(0.4～0.9 mA/cm2)或逐渐减小电流密度(0.9～0.4 mA/cm2)分别研制出直径逐渐变小或变大的纳米杆阵列,实现了纳米杆形貌、尺寸的可控生长.c轴择优取向的同质ZnO缓冲层既为纳米杆的定向生长提供了形核中心又减小了纳米杆的晶格失配度,有ZnO缓冲层样品的强紫外光发射和较弱的与缺陷相关的可见光发射的光致发光结果证实了缓冲层对提高样品晶体质量的重要作用.
以溶膠-凝膠法製備c軸取嚮為主的ZnO薄膜作緩遲層,採用陰極電化學沉積技術製備高c軸取嚮ZnO納米結構.在0.7 mA/cm2的恆定電流密度下生長齣直徑約50 nm、密度為2.5×107 mm-2的垂直嚮上的ZnO納米桿陣列,通過逐漸增大電流密度(0.4～0.9 mA/cm2)或逐漸減小電流密度(0.9～0.4 mA/cm2)分彆研製齣直徑逐漸變小或變大的納米桿陣列,實現瞭納米桿形貌、呎吋的可控生長.c軸擇優取嚮的同質ZnO緩遲層既為納米桿的定嚮生長提供瞭形覈中心又減小瞭納米桿的晶格失配度,有ZnO緩遲層樣品的彊紫外光髮射和較弱的與缺陷相關的可見光髮射的光緻髮光結果證實瞭緩遲層對提高樣品晶體質量的重要作用.
이용효-응효법제비c축취향위주적ZnO박막작완충층,채용음겁전화학침적기술제비고c축취향ZnO납미결구.재0.7 mA/cm2적항정전류밀도하생장출직경약50 nm、밀도위2.5×107 mm-2적수직향상적ZnO납미간진렬,통과축점증대전류밀도(0.4～0.9 mA/cm2)혹축점감소전류밀도(0.9～0.4 mA/cm2)분별연제출직경축점변소혹변대적납미간진렬,실현료납미간형모、척촌적가공생장.c축택우취향적동질ZnO완충층기위납미간적정향생장제공료형핵중심우감소료납미간적정격실배도,유ZnO완충층양품적강자외광발사화교약적여결함상관적가견광발사적광치발광결과증실료완충층대제고양품정체질량적중요작용.
