半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2008年
7期
1347-1349
,共3页
李哲洋%董逊%张岚%陈刚%柏松%陈辰
李哲洋%董遜%張嵐%陳剛%柏鬆%陳辰
리철양%동손%장람%진강%백송%진신
水平热壁式CVD%4H-SiC%同质外延%均匀性
水平熱壁式CVD%4H-SiC%同質外延%均勻性
수평열벽식CVD%4H-SiC%동질외연%균균성
利用水平热壁式CVD外延生长技术,在75mm偏向1120方向4°的(0001)Si-面n型导电衬底上同质外延生长了4H-SiC薄膜.光学显微镜和原子力显微镜测试结果表明外延层表面存在三角形、胡萝卜状等典型的4°偏轴外延缺陷及普遍的台阶形貌.通过优化外延参数,片内浓度均匀性(σ/mean)和厚度均匀性分别达到4.37%和l.81%.
利用水平熱壁式CVD外延生長技術,在75mm偏嚮1120方嚮4°的(0001)Si-麵n型導電襯底上同質外延生長瞭4H-SiC薄膜.光學顯微鏡和原子力顯微鏡測試結果錶明外延層錶麵存在三角形、鬍蘿蔔狀等典型的4°偏軸外延缺陷及普遍的檯階形貌.通過優化外延參數,片內濃度均勻性(σ/mean)和厚度均勻性分彆達到4.37%和l.81%.
이용수평열벽식CVD외연생장기술,재75mm편향1120방향4°적(0001)Si-면n형도전츤저상동질외연생장료4H-SiC박막.광학현미경화원자력현미경측시결과표명외연층표면존재삼각형、호라복상등전형적4°편축외연결함급보편적태계형모.통과우화외연삼수,편내농도균균성(σ/mean)화후도균균성분별체도4.37%화l.81%.
