激光与红外
激光與紅外
격광여홍외
LASER & INFRARED
2010年
11期
1163-1167
,共5页
左保军%祝东远%张树青%李润顺
左保軍%祝東遠%張樹青%李潤順
좌보군%축동원%장수청%리윤순
光刻%EUV%垂直入射式%掠入射式%收集效率%内嵌式%WolterⅠ型
光刻%EUV%垂直入射式%掠入射式%收集效率%內嵌式%WolterⅠ型
광각%EUV%수직입사식%략입사식%수집효솔%내감식%WolterⅠ형
当前半导体器件加工水平正在向22 nm方向发展,而最有希望实现这一尺寸的光刻技术即为EUV光刻技术.EUV光源所发出的13.5 nm辐射因为波长极短,物质对其吸收十分强烈,所以使采用透射式光学系统对辐射进行收集的可能几乎为零.如何高效地收集EUV光源发出的辐射能成为了EUV光刻技术中的一大难题.本文主要介绍了国外在EUV光源收集系统方面的发展现状,描述了两大类EUV光源收集系统(垂直入射式和掠入射式)的一些设计形式和设计实例,并对各种设计形式的EUV收集系统进行了分析和比较.还重点介绍了目前被普遍看好的内嵌式掠入射WolterⅠ型收集系统的设计与加工等情况.
噹前半導體器件加工水平正在嚮22 nm方嚮髮展,而最有希望實現這一呎吋的光刻技術即為EUV光刻技術.EUV光源所髮齣的13.5 nm輻射因為波長極短,物質對其吸收十分彊烈,所以使採用透射式光學繫統對輻射進行收集的可能幾乎為零.如何高效地收集EUV光源髮齣的輻射能成為瞭EUV光刻技術中的一大難題.本文主要介紹瞭國外在EUV光源收集繫統方麵的髮展現狀,描述瞭兩大類EUV光源收集繫統(垂直入射式和掠入射式)的一些設計形式和設計實例,併對各種設計形式的EUV收集繫統進行瞭分析和比較.還重點介紹瞭目前被普遍看好的內嵌式掠入射WolterⅠ型收集繫統的設計與加工等情況.
당전반도체기건가공수평정재향22 nm방향발전,이최유희망실현저일척촌적광각기술즉위EUV광각기술.EUV광원소발출적13.5 nm복사인위파장겁단,물질대기흡수십분강렬,소이사채용투사식광학계통대복사진행수집적가능궤호위령.여하고효지수집EUV광원발출적복사능성위료EUV광각기술중적일대난제.본문주요개소료국외재EUV광원수집계통방면적발전현상,묘술료량대류EUV광원수집계통(수직입사식화략입사식)적일사설계형식화설계실례,병대각충설계형식적EUV수집계통진행료분석화비교.환중점개소료목전피보편간호적내감식략입사WolterⅠ형수집계통적설계여가공등정황.
