核电子学与探测技术
覈電子學與探測技術
핵전자학여탐측기술
NUCLEAR ELECTRONICS & DETECTION TECHNOLOGY
2011年
5期
580-583,587
,共5页
杨尊勇%谢超美%王晓影%徐家云%姚振强%姚茂莹%王明秋
楊尊勇%謝超美%王曉影%徐傢雲%姚振彊%姚茂瑩%王明鞦
양존용%사초미%왕효영%서가운%요진강%요무형%왕명추
中子单色器%镶嵌分布%γ衍射%调试方法
中子單色器%鑲嵌分佈%γ衍射%調試方法
중자단색기%양감분포%γ연사%조시방법
用γ衍射方法可以分析中子单色器晶体的镶嵌分布.由于γ射线的波长短,满足布拉格衍射条件的入射角比通常X衍射的要小两个量级,加上晶体镶嵌分布需要较高的分辨率,因此要成功进行γ衍射实验,必须要求γ衍射装置各部分之间满足精细的几何布局,这只有通过正确的调试才能实现.在建立正确调试方法的基础上,通过仔细调试,用2 Ci的198Au的较低活度γ源,实现了用γ衍射方法对Ce单晶单色器镶嵌分布的测量,得到镶嵌分布的半宽度约为12′,这一结果与期望值吻合.
用γ衍射方法可以分析中子單色器晶體的鑲嵌分佈.由于γ射線的波長短,滿足佈拉格衍射條件的入射角比通常X衍射的要小兩箇量級,加上晶體鑲嵌分佈需要較高的分辨率,因此要成功進行γ衍射實驗,必鬚要求γ衍射裝置各部分之間滿足精細的幾何佈跼,這隻有通過正確的調試纔能實現.在建立正確調試方法的基礎上,通過仔細調試,用2 Ci的198Au的較低活度γ源,實現瞭用γ衍射方法對Ce單晶單色器鑲嵌分佈的測量,得到鑲嵌分佈的半寬度約為12′,這一結果與期望值吻閤.
용γ연사방법가이분석중자단색기정체적양감분포.유우γ사선적파장단,만족포랍격연사조건적입사각비통상X연사적요소량개량급,가상정체양감분포수요교고적분변솔,인차요성공진행γ연사실험,필수요구γ연사장치각부분지간만족정세적궤하포국,저지유통과정학적조시재능실현.재건립정학조시방법적기출상,통과자세조시,용2 Ci적198Au적교저활도γ원,실현료용γ연사방법대Ce단정단색기양감분포적측량,득도양감분포적반관도약위12′,저일결과여기망치문합.
