人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2000年
2期
176-179
,共4页
赖占平%齐德格%高瑞良%杜庚娜%刘晏凤%刘建宁
賴佔平%齊德格%高瑞良%杜庚娜%劉晏鳳%劉建寧
뢰점평%제덕격%고서량%두경나%류안봉%류건저
砷化镓%单晶%均匀性%抛光片%缺陷
砷化鎵%單晶%均勻性%拋光片%缺陷
신화가%단정%균균성%포광편%결함
高度PL mapping均匀的SI-GaAs单晶抛光片是制作大功率微波器件和大规模超高速数字集成电路的理想衬底.本工作对影响SI-GaAs单晶抛光片均匀性的各种因素进行了研究.发现位错密度对晶体的宏观电阻率均匀性和微观均匀性以及PL mapping均匀性都有一定的影响;而晶体的AB-EPD和抛光工艺对PL mapping均匀性影响更大,AB-EPD与热处理工艺有关.对实验现象进行了解释.
高度PL mapping均勻的SI-GaAs單晶拋光片是製作大功率微波器件和大規模超高速數字集成電路的理想襯底.本工作對影響SI-GaAs單晶拋光片均勻性的各種因素進行瞭研究.髮現位錯密度對晶體的宏觀電阻率均勻性和微觀均勻性以及PL mapping均勻性都有一定的影響;而晶體的AB-EPD和拋光工藝對PL mapping均勻性影響更大,AB-EPD與熱處理工藝有關.對實驗現象進行瞭解釋.
고도PL mapping균균적SI-GaAs단정포광편시제작대공솔미파기건화대규모초고속수자집성전로적이상츤저.본공작대영향SI-GaAs단정포광편균균성적각충인소진행료연구.발현위착밀도대정체적굉관전조솔균균성화미관균균성이급PL mapping균균성도유일정적영향;이정체적AB-EPD화포광공예대PL mapping균균성영향경대,AB-EPD여열처리공예유관.대실험현상진행료해석.
