真空电子技术
真空電子技術
진공전자기술
VACUUM ELECTRONICS
2006年
3期
57-60
,共4页
李含雁%丁明清%冯进军%李兴辉%张甫权%白国栋
李含雁%丁明清%馮進軍%李興輝%張甫權%白國棟
리함안%정명청%풍진군%리흥휘%장보권%백국동
Mo Spindt阵列阴极%ZrC FEA%发射电流密度%开启电压%场解吸附
Mo Spindt陣列陰極%ZrC FEA%髮射電流密度%開啟電壓%場解吸附
Mo Spindt진렬음겁%ZrC FEA%발사전류밀도%개계전압%장해흡부
对Spindt阵列阴极表面涂敷ZrC薄膜后的发射性能进行了研究.本实验采用原位沉积的方法实现ZrC薄膜的涂敷,所谓原位沉积就是在沉积完Mo尖锥后,立刻沉积ZrC薄膜,其中,ZrC厚度为5～10 nm.涂敷ZrC薄膜后的Spindt阵列阴极(ZrC FEA)在相同条件下与Mo阵列相比呈现出良好的发射性能,如相同栅极电压下的发射电流密度升高,开启电压降低.为清洁和光滑发射体表面,本实验在测试前对ZrC FEA进行了场解吸附处理,并比较了ZrC FEA在处理前后发射性能的变化.
對Spindt陣列陰極錶麵塗敷ZrC薄膜後的髮射性能進行瞭研究.本實驗採用原位沉積的方法實現ZrC薄膜的塗敷,所謂原位沉積就是在沉積完Mo尖錐後,立刻沉積ZrC薄膜,其中,ZrC厚度為5～10 nm.塗敷ZrC薄膜後的Spindt陣列陰極(ZrC FEA)在相同條件下與Mo陣列相比呈現齣良好的髮射性能,如相同柵極電壓下的髮射電流密度升高,開啟電壓降低.為清潔和光滑髮射體錶麵,本實驗在測試前對ZrC FEA進行瞭場解吸附處理,併比較瞭ZrC FEA在處理前後髮射性能的變化.
대Spindt진렬음겁표면도부ZrC박막후적발사성능진행료연구.본실험채용원위침적적방법실현ZrC박막적도부,소위원위침적취시재침적완Mo첨추후,립각침적ZrC박막,기중,ZrC후도위5～10 nm.도부ZrC박막후적Spindt진렬음겁(ZrC FEA)재상동조건하여Mo진렬상비정현출량호적발사성능,여상동책겁전압하적발사전류밀도승고,개계전압강저.위청길화광활발사체표면,본실험재측시전대ZrC FEA진행료장해흡부처리,병비교료ZrC FEA재처리전후발사성능적변화.
