固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2006年
4期
545-549
,共5页
李拂晓%郑华%郑惟彬%林罡%吴振海%黄庆安
李拂曉%鄭華%鄭惟彬%林罡%吳振海%黃慶安
리불효%정화%정유빈%림강%오진해%황경안
砷化镓%开关%标准工艺
砷化鎵%開關%標準工藝
신화가%개관%표준공예
采用PCM技术对砷化镓0.5 μm PHEMT开关进行工序能力评价(Cpk),运用统计过程控制(SPC)技术对采集的工艺数据进行分析,实现了开关工艺的稳定受控,工艺水平不断提高,砷化镓单片开关的成品率逐步提升;同时采用REM技术对该工艺制作的PHEMT开关器件、无源元件进行可靠性的预先估计,实现了对该标准工艺的可靠性评估.研究数据表明,砷化镓0.5μm PHEMT开关标准工艺PCM成品率达到90%,开发的单片开关和衰减器成品率不低于80%;砷化镓单片开关在最高工作温度85℃、置信度90%下失效率λ小于400 Fit,完全满足产品的使用要求.
採用PCM技術對砷化鎵0.5 μm PHEMT開關進行工序能力評價(Cpk),運用統計過程控製(SPC)技術對採集的工藝數據進行分析,實現瞭開關工藝的穩定受控,工藝水平不斷提高,砷化鎵單片開關的成品率逐步提升;同時採用REM技術對該工藝製作的PHEMT開關器件、無源元件進行可靠性的預先估計,實現瞭對該標準工藝的可靠性評估.研究數據錶明,砷化鎵0.5μm PHEMT開關標準工藝PCM成品率達到90%,開髮的單片開關和衰減器成品率不低于80%;砷化鎵單片開關在最高工作溫度85℃、置信度90%下失效率λ小于400 Fit,完全滿足產品的使用要求.
채용PCM기술대신화가0.5 μm PHEMT개관진행공서능력평개(Cpk),운용통계과정공제(SPC)기술대채집적공예수거진행분석,실현료개관공예적은정수공,공예수평불단제고,신화가단편개관적성품솔축보제승;동시채용REM기술대해공예제작적PHEMT개관기건、무원원건진행가고성적예선고계,실현료대해표준공예적가고성평고.연구수거표명,신화가0.5μm PHEMT개관표준공예PCM성품솔체도90%,개발적단편개관화쇠감기성품솔불저우80%;신화가단편개관재최고공작온도85℃、치신도90%하실효솔λ소우400 Fit,완전만족산품적사용요구.
