物理学报
物理學報
물이학보
2008年
3期
1878-1885
,共8页
李玲%Kaestner B%Blumenthai M D%Giblin S%Janssen T J B M%Pepper M%Anderson D%Jones G%Ritchie D A%高洁
李玲%Kaestner B%Blumenthai M D%Giblin S%Janssen T J B M%Pepper M%Anderson D%Jones G%Ritchie D A%高潔
리령%Kaestner B%Blumenthai M D%Giblin S%Janssen T J B M%Pepper M%Anderson D%Jones G%Ritchie D A%고길
单电子输运%单电子旋转门%单电子泵%量子化电流平台
單電子輸運%單電子鏇轉門%單電子泵%量子化電流平檯
단전자수운%단전자선전문%단전자빙%양자화전류평태
除了直流负电压外,还在浅法刻蚀出的GaAs/AlGaAs量子线上的两个金属指形门上分别叠加两个相位相差π的正弦信号,从而对形成量子点的两个势垒作不等幅调制.在无源漏偏压的情况下,通过周期形成的量子点实现了单电子的搬运.由于新的半导体量子点单电子泵不是依赖库仑阻塞效应通过隧穿进行单电子输运,因此,该器件就不会受到固定隧穿时间引起的低工作频率限制.在1.7 K温度下,频率达到3 GHz仍然可以观测到量子化电流平台.对应的电流值达到0.5 nA量级.这种新器件提供了实现高速度、高精度搬运单电子的另一种可能途径.
除瞭直流負電壓外,還在淺法刻蝕齣的GaAs/AlGaAs量子線上的兩箇金屬指形門上分彆疊加兩箇相位相差π的正絃信號,從而對形成量子點的兩箇勢壘作不等幅調製.在無源漏偏壓的情況下,通過週期形成的量子點實現瞭單電子的搬運.由于新的半導體量子點單電子泵不是依賴庫崙阻塞效應通過隧穿進行單電子輸運,因此,該器件就不會受到固定隧穿時間引起的低工作頻率限製.在1.7 K溫度下,頻率達到3 GHz仍然可以觀測到量子化電流平檯.對應的電流值達到0.5 nA量級.這種新器件提供瞭實現高速度、高精度搬運單電子的另一種可能途徑.
제료직류부전압외,환재천법각식출적GaAs/AlGaAs양자선상적량개금속지형문상분별첩가량개상위상차π적정현신호,종이대형성양자점적량개세루작불등폭조제.재무원루편압적정황하,통과주기형성적양자점실현료단전자적반운.유우신적반도체양자점단전자빙불시의뢰고륜조새효응통과수천진행단전자수운,인차,해기건취불회수도고정수천시간인기적저공작빈솔한제.재1.7 K온도하,빈솔체도3 GHz잉연가이관측도양자화전류평태.대응적전류치체도0.5 nA량급.저충신기건제공료실현고속도、고정도반운단전자적령일충가능도경.
