半导体桥等离子体温度的原子发射光谱法测量
반도체교등리자체온도적원자발사광보법측량
Measurement of semiconductor bridge plasma temperature using spectroscopic method
  • 万方数据
    原子与分子物理学报 원자여분자물이학보
    CHINESE JOURNAL OF ATOMIC AND MOLECULAR PHYSICS
    2008年 2期 313-316 ,共4页

    张文超%周彬%王文%秦志春%张琳%叶家海%田桂蓉

    장문초%주빈%왕문%진지춘%장림%협가해%전계용

    半导体桥%等离子体%温度测量%原子发射光谱 半導體橋%等離子體%溫度測量%原子髮射光譜
    반도체교%등리자체%온도측량%원자발사광보
    半导体桥生成的等离子体由于温度高、尺度小、持续时间短等特点,对其温度的瞬态测量是个难题.本文采用高速数字存贮示波器应用原子发射光谱双谱线法对半导体桥等离子体温度进行了实时瞬态测量,并对在22μF电容下不同充电电压对半导体桥等离子体温度的影响进行了系统的研究,得到了22μF电容下等离子体最高温度与充电电压的关系式Tmax=700.6+115.2U.
    반도체교생성적등리자체유우온도고、척도소、지속시간단등특점,대기온도적순태측량시개난제.본문채용고속수자존저시파기응용원자발사광보쌍보선법대반도체교등리자체온도진행료실시순태측량,병대재22μF전용하불동충전전압대반도체교등리자체온도적영향진행료계통적연구,득도료22μF전용하등리자체최고온도여충전전압적관계식Tmax=700.6+115.2U.
    원문보기 원문다운로드 사이트로이동
저자의 최근 논문