半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2008年
9期
772-775
,共4页
耗尽型%高压LDMOS%线性漂移区
耗儘型%高壓LDMOS%線性漂移區
모진형%고압LDMOS%선성표이구
基于一款LED驱动芯片中耗尽型高压NLDMOS器件的参数要求,提出一种耗尽型高压NLDMOS的器件结构和参数设计优化方法.分析了沟道注入工艺对器件阈值电压和表面电场分布的影响,综合利用RESURF技术和线性漂移区技术,改善耗尽型NLDMOS的表面电场分布,从而提高了器件的击穿电压.在漂移区长度L≤50μm下,器件击穿电压达到600 V以上,可以应用于LED驱动芯片整流器电路等各种高压功率集成电路.
基于一款LED驅動芯片中耗儘型高壓NLDMOS器件的參數要求,提齣一種耗儘型高壓NLDMOS的器件結構和參數設計優化方法.分析瞭溝道註入工藝對器件閾值電壓和錶麵電場分佈的影響,綜閤利用RESURF技術和線性漂移區技術,改善耗儘型NLDMOS的錶麵電場分佈,從而提高瞭器件的擊穿電壓.在漂移區長度L≤50μm下,器件擊穿電壓達到600 V以上,可以應用于LED驅動芯片整流器電路等各種高壓功率集成電路.
기우일관LED구동심편중모진형고압NLDMOS기건적삼수요구,제출일충모진형고압NLDMOS적기건결구화삼수설계우화방법.분석료구도주입공예대기건역치전압화표면전장분포적영향,종합이용RESURF기술화선성표이구기술,개선모진형NLDMOS적표면전장분포,종이제고료기건적격천전압.재표이구장도L≤50μm하,기건격천전압체도600 V이상,가이응용우LED구동심편정류기전로등각충고압공솔집성전로.
