电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2011年
5期
489-493
,共5页
任铮%李曦%彭兴伟%胡少坚%石艳玲%赵宇航
任錚%李晞%彭興偉%鬍少堅%石豔玲%趙宇航
임쟁%리희%팽흥위%호소견%석염령%조우항
RF MOSFET%PSP模型%射频%65 nm
RF MOSFET%PSP模型%射頻%65 nm
RF MOSFET%PSP모형%사빈%65 nm
通过对CMOS PSP直流核心模型进行STI参数的修正、探针电阻的引入和提取以及尺寸可变的源漏寄生电阻表达式的引入,呈现了一个尺寸可变的65 nm多叉指射频CMOS器件模型及其提取和优化方法.与实验数据比较结果表明,该模型及其提取和优化方法能够在14 GHz以内精确地预测器件性能.
通過對CMOS PSP直流覈心模型進行STI參數的脩正、探針電阻的引入和提取以及呎吋可變的源漏寄生電阻錶達式的引入,呈現瞭一箇呎吋可變的65 nm多扠指射頻CMOS器件模型及其提取和優化方法.與實驗數據比較結果錶明,該模型及其提取和優化方法能夠在14 GHz以內精確地預測器件性能.
통과대CMOS PSP직류핵심모형진행STI삼수적수정、탐침전조적인입화제취이급척촌가변적원루기생전조표체식적인입,정현료일개척촌가변적65 nm다차지사빈CMOS기건모형급기제취화우화방법.여실험수거비교결과표명,해모형급기제취화우화방법능구재14 GHz이내정학지예측기건성능.
