真空
真空
진공
VACUUM
2004年
4期
40-46
,共7页
等离子体增强%化学气相沉积%低温生长%碳纳米管
等離子體增彊%化學氣相沉積%低溫生長%碳納米管
등리자체증강%화학기상침적%저온생장%탄납미관
由于等离子体在低温下具有高活性的特点,等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术可显著降低薄膜沉积的温度范围.通常条件下,高质量碳纳米管的生长要求800℃以上的基片温度,若能使该温度降到400℃以下,则对许多应用非常有利,如可以在玻璃基片上沉积碳纳米管场发射电极.目前,碳纳米管基纳电子器件的研制这一课题备受关注,如果能实现低温原位制备碳纳米管,则可能将纳电子器件与传统的微电子加工工艺结合并实现超大容量的超大规模集成电路.本文主要介绍近年来生长碳纳米管所采用的各种等离子体化学气相沉积技术,讨论影响碳纳米管生长特性的几个关键因素.
由于等離子體在低溫下具有高活性的特點,等離子體增彊化學氣相沉積(PECVD)技術可顯著降低薄膜沉積的溫度範圍.通常條件下,高質量碳納米管的生長要求800℃以上的基片溫度,若能使該溫度降到400℃以下,則對許多應用非常有利,如可以在玻璃基片上沉積碳納米管場髮射電極.目前,碳納米管基納電子器件的研製這一課題備受關註,如果能實現低溫原位製備碳納米管,則可能將納電子器件與傳統的微電子加工工藝結閤併實現超大容量的超大規模集成電路.本文主要介紹近年來生長碳納米管所採用的各種等離子體化學氣相沉積技術,討論影響碳納米管生長特性的幾箇關鍵因素.
유우등리자체재저온하구유고활성적특점,등리자체증강화학기상침적(PECVD)기술가현저강저박막침적적온도범위.통상조건하,고질량탄납미관적생장요구800℃이상적기편온도,약능사해온도강도400℃이하,칙대허다응용비상유리,여가이재파리기편상침적탄납미관장발사전겁.목전,탄납미관기납전자기건적연제저일과제비수관주,여과능실현저온원위제비탄납미관,칙가능장납전자기건여전통적미전자가공공예결합병실현초대용량적초대규모집성전로.본문주요개소근년래생장탄납미관소채용적각충등리자체화학기상침적기술,토론영향탄납미관생장특성적궤개관건인소.
