用MOCVD法生长GaN基自组装量子点的相关实验及其分析
용MOCVD법생장GaN기자조장양자점적상관실험급기분석
Experiments and Their Analysis for Self-Assembly Growth of GaN Quantum Dots via MOCVD
  • 万方数据
    稀有金属材料与工程 희유금속재료여공정
    RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERNG
    2005年 12期 1849-1853 ,共5页

    孟焘%朱贤方%王占国

    맹도%주현방%왕점국

    GaN基量子点%自组装%S-K模式%MOCVD GaN基量子點%自組裝%S-K模式%MOCVD
    GaN기양자점%자조장%S-K모식%MOCVD
    GaN基相关材料的量子点生长是半导体材料研究的一个热点,尤其是用MOCVD方法生长GaN基自组装量子点占了相当的比例,因此相关的文献较多,但综述性文章却不多见.鉴于此,本文综述了用MOCVD法制备GaN基量子点的不同实验方法,并对影响量子点生长的实验条件和参数做了简要的分析.希望能够对相关的实验研究工作提供一些参考.
    GaN기상관재료적양자점생장시반도체재료연구적일개열점,우기시용MOCVD방법생장GaN기자조장양자점점료상당적비례,인차상관적문헌교다,단종술성문장각불다견.감우차,본문종술료용MOCVD법제비GaN기양자점적불동실험방법,병대영향양자점생장적실험조건화삼수주료간요적분석.희망능구대상관적실험연구공작제공일사삼고.
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