电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2007年
2期
17-19
,共3页
杨建平%陈志刚%李霞章%陈杨
楊建平%陳誌剛%李霞章%陳楊
양건평%진지강%리하장%진양
无机非金属材料%纳米%CeO2基电解质材料%共沉淀%雾化
無機非金屬材料%納米%CeO2基電解質材料%共沉澱%霧化
무궤비금속재료%납미%CeO2기전해질재료%공침정%무화
采用雾化加料的方式,以碳酸氢铵为沉淀剂,制备了纳米Ce0.8Gd0.2O1.9粉体.探寻了制备过程中影响粉体颗粒大小及团聚的工艺参数,并对影响机理进行了探讨.结果表明:将沉淀剂雾化加入的工艺有利于得到分散性好、尺寸均匀的纳米粉体.在最佳工艺参数点,即(Ce3++Gd3+)浓度为0.2 mol/L,反应温度为60 ℃,r[AHC:(Ce3++Gd3+)]为3:1, 制得的纳米Ce0.8Gd0.2O1.9颗粒粒径在15 nm左右.
採用霧化加料的方式,以碳痠氫銨為沉澱劑,製備瞭納米Ce0.8Gd0.2O1.9粉體.探尋瞭製備過程中影響粉體顆粒大小及糰聚的工藝參數,併對影響機理進行瞭探討.結果錶明:將沉澱劑霧化加入的工藝有利于得到分散性好、呎吋均勻的納米粉體.在最佳工藝參數點,即(Ce3++Gd3+)濃度為0.2 mol/L,反應溫度為60 ℃,r[AHC:(Ce3++Gd3+)]為3:1, 製得的納米Ce0.8Gd0.2O1.9顆粒粒徑在15 nm左右.
채용무화가료적방식,이탄산경안위침정제,제비료납미Ce0.8Gd0.2O1.9분체.탐심료제비과정중영향분체과립대소급단취적공예삼수,병대영향궤리진행료탐토.결과표명:장침정제무화가입적공예유리우득도분산성호、척촌균균적납미분체.재최가공예삼수점,즉(Ce3++Gd3+)농도위0.2 mol/L,반응온도위60 ℃,r[AHC:(Ce3++Gd3+)]위3:1, 제득적납미Ce0.8Gd0.2O1.9과립립경재15 nm좌우.
