蓝紫光InGaN多量子阱激光器
람자광InGaN다양자정격광기
  • 万方数据
    中国科学E辑 중국과학E집
    SCIENCE IN CHINA (SERIES E)
    2007年 3期 356-359 ,共4页

    李德尧%张书明%王建峰%陈俊%陈良惠%种明%朱建军%赵德刚%刘宗顺%杨辉%梁骏吾

    리덕요%장서명%왕건봉%진준%진량혜%충명%주건군%조덕강%류종순%양휘%량준오

    金属有机化合物气相外延%GaN基激光器%多量子阱%脊形波导阈值电流 金屬有機化閤物氣相外延%GaN基激光器%多量子阱%脊形波導閾值電流
    금속유궤화합물기상외연%GaN기격광기%다양자정%척형파도역치전류
    在(0001)蓝宝石衬底上外延生长了InGaN长周期多量子阱激光器结构.三轴晶X射线衍射测量显示该多量子阱结构质量优良.用该外延片制作了脊形波导GaN激光器,激光器的腔面为GaN的自然解理面.室温,电脉冲注入,激光器可实现激射.阈值电流密度为33 kA/cm2,特征温度为145 K.
    재(0001)람보석츤저상외연생장료InGaN장주기다양자정격광기결구.삼축정X사선연사측량현시해다양자정결구질량우량.용해외연편제작료척형파도GaN격광기,격광기적강면위GaN적자연해리면.실온,전맥충주입,격광기가실현격사.역치전류밀도위33 kA/cm2,특정온도위145 K.
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