电子显微学报
電子顯微學報
전자현미학보
JOURNAL OF CHINESE ELECTRON MICROSCOPY SOCIETY
2007年
4期
312-321
,共10页
段晓峰%刘海华%徐秋霞%刘邦贵
段曉峰%劉海華%徐鞦霞%劉邦貴
단효봉%류해화%서추하%류방귀
应变硅%金属氧化物半导体场效应晶体管%大角度会聚束电子衍射
應變硅%金屬氧化物半導體場效應晶體管%大角度會聚束電子衍射
응변규%금속양화물반도체장효응정체관%대각도회취속전자연사
本文报道了应变硅p型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)沟道中的局部应变的大角度会聚束电子衍射表征.由于源和漏极区预非晶化锗离子注入工艺在源漏区引入了大量的缺陷,导致在截面电镜样品中存在切应变.利用大角度会聚束电子衍射(LACBED)测量了沟道区的压应变和切应变,并讨论了沟道区产生巨大压应变(2%以上)的原因.
本文報道瞭應變硅p型金屬氧化物半導體場效應晶體管(PMOSFET)溝道中的跼部應變的大角度會聚束電子衍射錶徵.由于源和漏極區預非晶化鍺離子註入工藝在源漏區引入瞭大量的缺陷,導緻在截麵電鏡樣品中存在切應變.利用大角度會聚束電子衍射(LACBED)測量瞭溝道區的壓應變和切應變,併討論瞭溝道區產生巨大壓應變(2%以上)的原因.
본문보도료응변규p형금속양화물반도체장효응정체관(PMOSFET)구도중적국부응변적대각도회취속전자연사표정.유우원화루겁구예비정화타리자주입공예재원루구인입료대량적결함,도치재절면전경양품중존재절응변.이용대각도회취속전자연사(LACBED)측량료구도구적압응변화절응변,병토론료구도구산생거대압응변(2%이상)적원인.
