红外与激光工程
紅外與激光工程
홍외여격광공정
INFRARED AND LASER ENGINEERING
2009年
3期
402-405
,共4页
张可锋%李淘%唐恒敬%李永富%宁锦华%李雪%龚海梅
張可鋒%李淘%唐恆敬%李永富%寧錦華%李雪%龔海梅
장가봉%리도%당항경%리영부%저금화%리설%공해매
InGaAs探测器%AlN%钝化层%暗电流
InGaAs探測器%AlN%鈍化層%暗電流
InGaAs탐측기%AlN%둔화층%암전류
首次介绍了采用AlN介质薄膜为钝化层的InGaAs台面型探测器(λ=2.4 μm).探测器采用分子束外延(MBE)方法生长的原位掺杂的PIN In0.78Ga0.22As/In0.78Ga0.22As/InxGa1-xAs/InP 外延材料.由于台面型器件的裸露面积较大,特另q是台面的成形工艺所带来的侧面损伤,加大了光生载流子的表面复合,使器件的暗电流、噪声等性能急剧下降.采用新的AlN钝化工艺,制备了8元正照射台面InGaAs探测器,室温下(T=300 K)电压为-0.5 V时.探测器的暗电流(ID)约为9×10-8 A,优值因子(R0A)大于30 Ωcm2,通过与其他钝化工艺所制备的器件的性能进行分析对比得出:AlN能有效地改善器件的表面状态,减小表面复合,从而降低了暗电流,提高了探测器的性能.
首次介紹瞭採用AlN介質薄膜為鈍化層的InGaAs檯麵型探測器(λ=2.4 μm).探測器採用分子束外延(MBE)方法生長的原位摻雜的PIN In0.78Ga0.22As/In0.78Ga0.22As/InxGa1-xAs/InP 外延材料.由于檯麵型器件的裸露麵積較大,特另q是檯麵的成形工藝所帶來的側麵損傷,加大瞭光生載流子的錶麵複閤,使器件的暗電流、譟聲等性能急劇下降.採用新的AlN鈍化工藝,製備瞭8元正照射檯麵InGaAs探測器,室溫下(T=300 K)電壓為-0.5 V時.探測器的暗電流(ID)約為9×10-8 A,優值因子(R0A)大于30 Ωcm2,通過與其他鈍化工藝所製備的器件的性能進行分析對比得齣:AlN能有效地改善器件的錶麵狀態,減小錶麵複閤,從而降低瞭暗電流,提高瞭探測器的性能.
수차개소료채용AlN개질박막위둔화층적InGaAs태면형탐측기(λ=2.4 μm).탐측기채용분자속외연(MBE)방법생장적원위참잡적PIN In0.78Ga0.22As/In0.78Ga0.22As/InxGa1-xAs/InP 외연재료.유우태면형기건적라로면적교대,특령q시태면적성형공예소대래적측면손상,가대료광생재류자적표면복합,사기건적암전류、조성등성능급극하강.채용신적AlN둔화공예,제비료8원정조사태면InGaAs탐측기,실온하(T=300 K)전압위-0.5 V시.탐측기적암전류(ID)약위9×10-8 A,우치인자(R0A)대우30 Ωcm2,통과여기타둔화공예소제비적기건적성능진행분석대비득출:AlN능유효지개선기건적표면상태,감소표면복합,종이강저료암전류,제고료탐측기적성능.
