人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2012年
2期
407-413
,共7页
孙雷%沈鸿烈%吴天如%刘斌%蒋烨
孫雷%瀋鴻烈%吳天如%劉斌%蔣燁
손뢰%침홍렬%오천여%류빈%장엽
固态碳源%机械抛光%电化学抛光%石墨烯%可控生长
固態碳源%機械拋光%電化學拋光%石墨烯%可控生長
고태탄원%궤계포광%전화학포광%석묵희%가공생장
本文报导以固态聚苯乙烯为碳源,经机械抛光和电化学抛光双重处理的铜箔为衬底,用CVID法进行石墨烯可控生长的研究结果.用光学显微镜、原子力显微镜、拉曼光谱、光透射谱、扫描隧道显微镜和场发射扫描电镜对生长的石墨烯进行了表征.研究发现经过抛光处理的铜箔由于其平整的表面和很低的表面粗糙度,在其上生长的石墨烯缺陷少,结晶质量高.而未经抛光处理的铜箔在石墨烯生长过程中,铜箔不平整的表面台阶会破坏其上生长的石墨烯的微观结构,在生长的石墨烯二维结构中产生高密度晶界和缺陷.还在双重抛光处理的铜箔上实现了石墨烯的层数可控生长,结果表明固态碳源聚苯乙烯的量为15 mg时可生长出单层石墨烯,通过控制固态源重量得到了1～5层大面积石墨烯.
本文報導以固態聚苯乙烯為碳源,經機械拋光和電化學拋光雙重處理的銅箔為襯底,用CVID法進行石墨烯可控生長的研究結果.用光學顯微鏡、原子力顯微鏡、拉曼光譜、光透射譜、掃描隧道顯微鏡和場髮射掃描電鏡對生長的石墨烯進行瞭錶徵.研究髮現經過拋光處理的銅箔由于其平整的錶麵和很低的錶麵粗糙度,在其上生長的石墨烯缺陷少,結晶質量高.而未經拋光處理的銅箔在石墨烯生長過程中,銅箔不平整的錶麵檯階會破壞其上生長的石墨烯的微觀結構,在生長的石墨烯二維結構中產生高密度晶界和缺陷.還在雙重拋光處理的銅箔上實現瞭石墨烯的層數可控生長,結果錶明固態碳源聚苯乙烯的量為15 mg時可生長齣單層石墨烯,通過控製固態源重量得到瞭1～5層大麵積石墨烯.
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