半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
7期
1225-1229
,共5页
张琦锋%戎懿%陈贤祥%张耿民%张兆祥%薛增泉%陈长琦%吴锦雷
張琦鋒%戎懿%陳賢祥%張耿民%張兆祥%薛增泉%陳長琦%吳錦雷
장기봉%융의%진현상%장경민%장조상%설증천%진장기%오금뢰
ZnO%纳米线%气相沉积%场发射
ZnO%納米線%氣相沉積%場髮射
ZnO%납미선%기상침적%장발사
运用气相沉积方法分别在硅片表面和钨针尖上制备了非取向生长的ZnO纳米线,并通过场发射显微镜研究了纳米线样品的平面场发射特性和针尖场发射特性.结果显示,非取向生长的ZnO纳米线薄膜场发射的开启电压和阈值电压所对应的场强分别为4.7和7.6V/μm,场增强因子达103量级,具有较阵列生长的ZnO纳米线更为优异的场发射能力.非取向生长ZnO纳米线薄膜场发射能力的增强归因于其所具有的稀疏结构避免了强场作用下屏蔽效应的产生,有效地提高了薄膜场发射的电流密度.将ZnO纳米线组装在钨针尖上能够明显地改善针尖的场发射性能,在超高分辨显微探针领域具有良好应用前景.
運用氣相沉積方法分彆在硅片錶麵和鎢針尖上製備瞭非取嚮生長的ZnO納米線,併通過場髮射顯微鏡研究瞭納米線樣品的平麵場髮射特性和針尖場髮射特性.結果顯示,非取嚮生長的ZnO納米線薄膜場髮射的開啟電壓和閾值電壓所對應的場彊分彆為4.7和7.6V/μm,場增彊因子達103量級,具有較陣列生長的ZnO納米線更為優異的場髮射能力.非取嚮生長ZnO納米線薄膜場髮射能力的增彊歸因于其所具有的稀疏結構避免瞭彊場作用下屏蔽效應的產生,有效地提高瞭薄膜場髮射的電流密度.將ZnO納米線組裝在鎢針尖上能夠明顯地改善針尖的場髮射性能,在超高分辨顯微探針領域具有良好應用前景.
운용기상침적방법분별재규편표면화오침첨상제비료비취향생장적ZnO납미선,병통과장발사현미경연구료납미선양품적평면장발사특성화침첨장발사특성.결과현시,비취향생장적ZnO납미선박막장발사적개계전압화역치전압소대응적장강분별위4.7화7.6V/μm,장증강인자체103량급,구유교진렬생장적ZnO납미선경위우이적장발사능력.비취향생장ZnO납미선박막장발사능력적증강귀인우기소구유적희소결구피면료강장작용하병폐효응적산생,유효지제고료박막장발사적전류밀도.장ZnO납미선조장재오침첨상능구명현지개선침첨적장발사성능,재초고분변현미탐침영역구유량호응용전경.
