复旦学报（自然科学版）
複旦學報（自然科學版）
복단학보（자연과학판）
JOURNAL OF FUDAN UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE)
2007年
1期
117-122
,共6页
宋云%陆海纬%王振雄%郑国祥%李越生%曾(韋華)
宋雲%陸海緯%王振雄%鄭國祥%李越生%曾(韋華)
송운%륙해위%왕진웅%정국상%리월생%증(위화)
聚焦离子束%TEM制样%非晶层%阈值电压%埋沟PMOS
聚焦離子束%TEM製樣%非晶層%閾值電壓%埋溝PMOS
취초리자속%TEM제양%비정층%역치전압%매구PMOS
微分析技术已经成为微电子产业发展的重要技术支撑,FIB(focused ion beam)结合了精细加工技术和微分析技术,具有在亚微米线度上的微细加工和高分辨率成像的能力,成为强有力的TEM(transmission electron microscope) 制样工具以及电路修补的有力工具.同时,FIB辐照对样品结构的损伤以及器件性能的影响受到广泛的关注.为使实际FIB的工作更优化,更有针对性,从而确保不同器件在FIB加工后的可靠性,从研究FIB辐射对材料结构的损伤入手,针对两种不同类型的晶体管(常规工艺NMOS晶体管和埋沟工艺PMOS晶体管),进行了FIB辐照下的电学性能对比.较常规工艺的NMOS晶体管,埋沟工艺的PMOS晶体管在跨导和迁移率等参数的变化情况与前者相似,但是在阈值电压变化,辐照损伤修复方面,后者显示出独特的性能.
微分析技術已經成為微電子產業髮展的重要技術支撐,FIB(focused ion beam)結閤瞭精細加工技術和微分析技術,具有在亞微米線度上的微細加工和高分辨率成像的能力,成為彊有力的TEM(transmission electron microscope) 製樣工具以及電路脩補的有力工具.同時,FIB輻照對樣品結構的損傷以及器件性能的影響受到廣汎的關註.為使實際FIB的工作更優化,更有針對性,從而確保不同器件在FIB加工後的可靠性,從研究FIB輻射對材料結構的損傷入手,針對兩種不同類型的晶體管(常規工藝NMOS晶體管和埋溝工藝PMOS晶體管),進行瞭FIB輻照下的電學性能對比.較常規工藝的NMOS晶體管,埋溝工藝的PMOS晶體管在跨導和遷移率等參數的變化情況與前者相似,但是在閾值電壓變化,輻照損傷脩複方麵,後者顯示齣獨特的性能.
미분석기술이경성위미전자산업발전적중요기술지탱,FIB(focused ion beam)결합료정세가공기술화미분석기술,구유재아미미선도상적미세가공화고분변솔성상적능력,성위강유력적TEM(transmission electron microscope) 제양공구이급전로수보적유력공구.동시,FIB복조대양품결구적손상이급기건성능적영향수도엄범적관주.위사실제FIB적공작경우화,경유침대성,종이학보불동기건재FIB가공후적가고성,종연구FIB복사대재료결구적손상입수,침대량충불동류형적정체관(상규공예NMOS정체관화매구공예PMOS정체관),진행료FIB복조하적전학성능대비.교상규공예적NMOS정체관,매구공예적PMOS정체관재과도화천이솔등삼수적변화정황여전자상사,단시재역치전압변화,복조손상수복방면,후자현시출독특적성능.
