光学与光电技术
光學與光電技術
광학여광전기술
OPTICS & OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY
2009年
6期
21-25
,共5页
超快热弹模型%有限差分法%热电子崩力%热应力
超快熱彈模型%有限差分法%熱電子崩力%熱應力
초쾌열탄모형%유한차분법%열전자붕력%열응력
为了研究超短脉冲激光辐照下半导体材料的热力效应,在热电子崩力和自洽场两种模型的基础上,得到了完全耦合的非线性热弹方程组.在单轴应力条件下,采用有限差分法,讨论了不同脉宽的超短脉冲激光辐照下,硅膜内栽流子温度、晶格温度、热应力以及热电子崩力随时间及膜深度的变化情况.结果表明,脉冲宽度对硅膜的热力损伤过程起重要作用.能量密度一定时,载流子和晶格达到热平衡所需时间随脉冲宽度的增加而增加;热电子崩力呈现明显的双峰结构,同时脉冲宽度对第二个峰值的影响较大;脉宽越窄,热应力的峰值越大,越容易对材料造成损伤,为激光加工和光电器件的损伤提供了理论参考.
為瞭研究超短脈遲激光輻照下半導體材料的熱力效應,在熱電子崩力和自洽場兩種模型的基礎上,得到瞭完全耦閤的非線性熱彈方程組.在單軸應力條件下,採用有限差分法,討論瞭不同脈寬的超短脈遲激光輻照下,硅膜內栽流子溫度、晶格溫度、熱應力以及熱電子崩力隨時間及膜深度的變化情況.結果錶明,脈遲寬度對硅膜的熱力損傷過程起重要作用.能量密度一定時,載流子和晶格達到熱平衡所需時間隨脈遲寬度的增加而增加;熱電子崩力呈現明顯的雙峰結構,同時脈遲寬度對第二箇峰值的影響較大;脈寬越窄,熱應力的峰值越大,越容易對材料造成損傷,為激光加工和光電器件的損傷提供瞭理論參攷.
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