半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2012年
1期
59-62
,共4页
大衰减量%高精度%单片式微波集成电路%数控衰减器%砷化镓
大衰減量%高精度%單片式微波集成電路%數控衰減器%砷化鎵
대쇠감량%고정도%단편식미파집성전로%수공쇠감기%신화가
介绍了一款高精度大衰减量单片数控衰减器的主要技术指标和设计方法.电路设计基于Agilent ADS微波软件设计环境,采用GaAs HFET工艺技术实现.对开关器件建模流程和数控衰减器电路设计流程分别作了相应的描述.针对不同衰减值的基本衰减位,选择合适的衰减拓扑.通过采用创新的大衰减量衰减结构,既实现了63.5 dB的大衰减量,又满足其衰减精度的要求,还达到了整个单片数控衰减器低插入损耗和高衰减精度的目标.单片电路测试结果为:在3～ 100 MHz工作频率范围内,插入损耗≤2.2 dB,驻波比≤1.4∶1,衰减范围为0.5 ～63.5 dB.测试结果表明设计方法有效、可行.电路尺寸为3.5 mm×1.4 mm×0.1mm,控制电压为0V和-5V.
介紹瞭一款高精度大衰減量單片數控衰減器的主要技術指標和設計方法.電路設計基于Agilent ADS微波軟件設計環境,採用GaAs HFET工藝技術實現.對開關器件建模流程和數控衰減器電路設計流程分彆作瞭相應的描述.針對不同衰減值的基本衰減位,選擇閤適的衰減拓撲.通過採用創新的大衰減量衰減結構,既實現瞭63.5 dB的大衰減量,又滿足其衰減精度的要求,還達到瞭整箇單片數控衰減器低插入損耗和高衰減精度的目標.單片電路測試結果為:在3～ 100 MHz工作頻率範圍內,插入損耗≤2.2 dB,駐波比≤1.4∶1,衰減範圍為0.5 ～63.5 dB.測試結果錶明設計方法有效、可行.電路呎吋為3.5 mm×1.4 mm×0.1mm,控製電壓為0V和-5V.
개소료일관고정도대쇠감량단편수공쇠감기적주요기술지표화설계방법.전로설계기우Agilent ADS미파연건설계배경,채용GaAs HFET공예기술실현.대개관기건건모류정화수공쇠감기전로설계류정분별작료상응적묘술.침대불동쇠감치적기본쇠감위,선택합괄적쇠감탁복.통과채용창신적대쇠감량쇠감결구,기실현료63.5 dB적대쇠감량,우만족기쇠감정도적요구,환체도료정개단편수공쇠감기저삽입손모화고쇠감정도적목표.단편전로측시결과위:재3～ 100 MHz공작빈솔범위내,삽입손모≤2.2 dB,주파비≤1.4∶1,쇠감범위위0.5 ～63.5 dB.측시결과표명설계방법유효、가행.전로척촌위3.5 mm×1.4 mm×0.1mm,공제전압위0V화-5V.
