固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2004年
4期
493-497
,共5页
崔福良%黄林%朱臻%洪志良
崔福良%黃林%硃臻%洪誌良
최복량%황림%주진%홍지량
数模转换器%电流-电压转换电路%互补金属-氧化物-半导体
數模轉換器%電流-電壓轉換電路%互補金屬-氧化物-半導體
수모전환기%전류-전압전환전로%호보금속-양화물-반도체
介绍了一种用于数模转换器的电流-电压转换电路.在数模转换器的负载电阻片内集成的情况下,利用文中提出的电流-电压转换电路,数模转换器实现了要求的宽摆幅电平输出(全"0"输入时,输出低电平-3 V;全"1"输入时,输出高电平3.5 V).整个数模转换器电路用1.2 μm双层金属双层多晶硅n阱CMOS工艺实现.其积分非线性误差为0.45个最低有效位(LSB),微分非线性误差为0.2 LSB,满摆幅输出的建立时间小于1 μs.该数模转换器使用±5 V电源,功耗约为30 mW,电路芯片面积为0.42 mm2.
介紹瞭一種用于數模轉換器的電流-電壓轉換電路.在數模轉換器的負載電阻片內集成的情況下,利用文中提齣的電流-電壓轉換電路,數模轉換器實現瞭要求的寬襬幅電平輸齣(全"0"輸入時,輸齣低電平-3 V;全"1"輸入時,輸齣高電平3.5 V).整箇數模轉換器電路用1.2 μm雙層金屬雙層多晶硅n阱CMOS工藝實現.其積分非線性誤差為0.45箇最低有效位(LSB),微分非線性誤差為0.2 LSB,滿襬幅輸齣的建立時間小于1 μs.該數模轉換器使用±5 V電源,功耗約為30 mW,電路芯片麵積為0.42 mm2.
개소료일충용우수모전환기적전류-전압전환전로.재수모전환기적부재전조편내집성적정황하,이용문중제출적전류-전압전환전로,수모전환기실현료요구적관파폭전평수출(전"0"수입시,수출저전평-3 V;전"1"수입시,수출고전평3.5 V).정개수모전환기전로용1.2 μm쌍층금속쌍층다정규n정CMOS공예실현.기적분비선성오차위0.45개최저유효위(LSB),미분비선성오차위0.2 LSB,만파폭수출적건립시간소우1 μs.해수모전환기사용±5 V전원,공모약위30 mW,전로심편면적위0.42 mm2.
