氧化Au/Ni/p-GaN欧姆接触形成的机理
양화Au/Ni/p-GaN구모접촉형성적궤리
Investigation on Mechanism of Oxidized Au/Ni/p-GaN Ohmic Contact
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2005年 6期 1154-1158 ,共5页

    胡成余%秦志新%冯振兴%陈志忠%杨华%杨志坚%于彤军%胡晓东%姚淑德%张国义

    호성여%진지신%풍진흥%진지충%양화%양지견%우동군%호효동%요숙덕%장국의

    p型氮化镓%镍/金%比接触电阻%同步辐射%卢瑟福背散射 p型氮化鎵%鎳/金%比接觸電阻%同步輻射%盧瑟福揹散射
    p형담화가%얼/금%비접촉전조%동보복사%로슬복배산사
    用卢瑟福背散射(RBS)和同步辐射X射线衍射(XRD)研究了p-GaN上的Ni/Au电极在空气下不同温度合金后的微结构的演化,并揭示这种接触结构的欧姆接触形成机制.研究不同温度下比接触电阻(ρc)的变化,发现从450℃开始Au扩散到GaN的表面在p-GaN上形成外延结构以及O向电极内部扩散反应生成NiO对降低ρc起到了关键的作用.在500℃时,Au的外延结构进一步改善,O进一步向样品内部扩散生成NiO,ρc也达到了最低值.但当合金温度升高到600℃时,金属-半导体界面NiO的大部分或全部向外扩散,从而脱离与p-GaN的接触,使ρc显著升高.
    용로슬복배산사(RBS)화동보복사X사선연사(XRD)연구료p-GaN상적Ni/Au전겁재공기하불동온도합금후적미결구적연화,병게시저충접촉결구적구모접촉형성궤제.연구불동온도하비접촉전조(ρc)적변화,발현종450℃개시Au확산도GaN적표면재p-GaN상형성외연결구이급O향전겁내부확산반응생성NiO대강저ρc기도료관건적작용.재500℃시,Au적외연결구진일보개선,O진일보향양품내부확산생성NiO,ρc야체도료최저치.단당합금온도승고도600℃시,금속-반도체계면NiO적대부분혹전부향외확산,종이탈리여p-GaN적접촉,사ρc현저승고.
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