人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2006年
5期
1113-1117
,共5页
王质武%刘文%杨清斗%卫静婷
王質武%劉文%楊清鬥%衛靜婷
왕질무%류문%양청두%위정정
氮化铝薄膜%直流磁控溅射%择优取向
氮化鋁薄膜%直流磁控濺射%擇優取嚮
담화려박막%직류자공천사%택우취향
采用直流磁控溅射法,Al靶直径75mm,靶基距9cm,本底真空3×10-5Pa,气体分压N2/Ar=1/3,工作气压0.2Pa,溅射功率72W,溅射时间1h,溅射过程不加热,使其自然升温,在Si(100)衬底上制备AlN薄膜.结合椭圆偏振仪、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)等测试手段研究了薄膜特性.结果表明,所制备的多晶AlN薄膜厚度为715nm,具有良好的(002)择优取向,其衍射峰半高宽(FWHM)为0.24°.XPS剥蚀260min后O的原子浓度降为6.24%,Al和N化学剂量比非常接近1:1.AlN薄膜晶粒大小均匀,平均尺寸为35nm左右.表面粗糙度为0.37nm,表面均方根粗糙度为0.49nm,Z轴方向最高突起约3.13nm.
採用直流磁控濺射法,Al靶直徑75mm,靶基距9cm,本底真空3×10-5Pa,氣體分壓N2/Ar=1/3,工作氣壓0.2Pa,濺射功率72W,濺射時間1h,濺射過程不加熱,使其自然升溫,在Si(100)襯底上製備AlN薄膜.結閤橢圓偏振儀、X射線衍射(XRD)、X射線光電子能譜(XPS)、掃描電子顯微鏡(SEM)、原子力顯微鏡(AFM)等測試手段研究瞭薄膜特性.結果錶明,所製備的多晶AlN薄膜厚度為715nm,具有良好的(002)擇優取嚮,其衍射峰半高寬(FWHM)為0.24°.XPS剝蝕260min後O的原子濃度降為6.24%,Al和N化學劑量比非常接近1:1.AlN薄膜晶粒大小均勻,平均呎吋為35nm左右.錶麵粗糙度為0.37nm,錶麵均方根粗糙度為0.49nm,Z軸方嚮最高突起約3.13nm.
채용직류자공천사법,Al파직경75mm,파기거9cm,본저진공3×10-5Pa,기체분압N2/Ar=1/3,공작기압0.2Pa,천사공솔72W,천사시간1h,천사과정불가열,사기자연승온,재Si(100)츤저상제비AlN박막.결합타원편진의、X사선연사(XRD)、X사선광전자능보(XPS)、소묘전자현미경(SEM)、원자력현미경(AFM)등측시수단연구료박막특성.결과표명,소제비적다정AlN박막후도위715nm,구유량호적(002)택우취향,기연사봉반고관(FWHM)위0.24°.XPS박식260min후O적원자농도강위6.24%,Al화N화학제량비비상접근1:1.AlN박막정립대소균균,평균척촌위35nm좌우.표면조조도위0.37nm,표면균방근조조도위0.49nm,Z축방향최고돌기약3.13nm.
