电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2008年
3期
51-54
,共4页
邵起越%董岩%方峰%蒋建清
邵起越%董巖%方峰%蔣建清
소기월%동암%방봉%장건청
无机非金属材料%锆钛酸铅%Sr掺杂%电可调性能%sol-gel法
無機非金屬材料%鋯鈦痠鉛%Sr摻雜%電可調性能%sol-gel法
무궤비금속재료%고태산연%Sr참잡%전가조성능%sol-gel법
采用sol-gel工艺制备了Sr掺杂Pb(Zr, Ti)O3薄膜(Pb1-xSrxZr0.52Ti0.48O3,PSZT),研究了Sr含量(x=0.2～0.8)对PSZT薄膜的结构和性能的影响.结果表明:随Sr含量增加,PSZT由四方相转变为立方相,相变温度降低,逐渐由铁电相向顺电相转变.薄膜的εr、可调率和tanδ随Sr含量增加逐渐减小,这与Sr含量的增加导致PSZT薄膜晶格收缩有关.当x(Sr)为0.6时,PSZT薄膜具有较好的综合性能(1 MHz):可调率为48%,tanδ为0.02,表明PSZT有望成为电可调微波器件的候选材料.
採用sol-gel工藝製備瞭Sr摻雜Pb(Zr, Ti)O3薄膜(Pb1-xSrxZr0.52Ti0.48O3,PSZT),研究瞭Sr含量(x=0.2～0.8)對PSZT薄膜的結構和性能的影響.結果錶明:隨Sr含量增加,PSZT由四方相轉變為立方相,相變溫度降低,逐漸由鐵電相嚮順電相轉變.薄膜的εr、可調率和tanδ隨Sr含量增加逐漸減小,這與Sr含量的增加導緻PSZT薄膜晶格收縮有關.噹x(Sr)為0.6時,PSZT薄膜具有較好的綜閤性能(1 MHz):可調率為48%,tanδ為0.02,錶明PSZT有望成為電可調微波器件的候選材料.
채용sol-gel공예제비료Sr참잡Pb(Zr, Ti)O3박막(Pb1-xSrxZr0.52Ti0.48O3,PSZT),연구료Sr함량(x=0.2～0.8)대PSZT박막적결구화성능적영향.결과표명:수Sr함량증가,PSZT유사방상전변위립방상,상변온도강저,축점유철전상향순전상전변.박막적εr、가조솔화tanδ수Sr함량증가축점감소,저여Sr함량적증가도치PSZT박막정격수축유관.당x(Sr)위0.6시,PSZT박막구유교호적종합성능(1 MHz):가조솔위48%,tanδ위0.02,표명PSZT유망성위전가조미파기건적후선재료.
