核电子学与探测技术
覈電子學與探測技術
핵전자학여탐측기술
NUCLEAR ELECTRONICS & DETECTION TECHNOLOGY
2011年
9期
958-960,990
,共4页
吕继方%刘振安%王铮%严雄波%魏微
呂繼方%劉振安%王錚%嚴雄波%魏微
려계방%류진안%왕쟁%엄웅파%위미
峰值保持%OTA%CMOS
峰值保持%OTA%CMOS
봉치보지%OTA%CMOS
介绍了一种CMOS峰值保持电路.该电路具有精度高,输出摆幅大,驱动能力强等特点.电路具有两种工作状态:“读”状态和“写”状态.在“写”状态时,通过OTA追踪信号,将输入信号峰值存储到保持电容中.在“读”状态时,将OTA连接成单位增益放大器使用,将存储在保持电容上电压值读出.该工作过程可以有效消除放大器自身offset产生的影响,减小误差.通过仿真,该电路在输出幅度在400 mV ～1.8V范围内,误差小于1％.本电路采用Chartered0.35μm工艺.
介紹瞭一種CMOS峰值保持電路.該電路具有精度高,輸齣襬幅大,驅動能力彊等特點.電路具有兩種工作狀態:“讀”狀態和“寫”狀態.在“寫”狀態時,通過OTA追蹤信號,將輸入信號峰值存儲到保持電容中.在“讀”狀態時,將OTA連接成單位增益放大器使用,將存儲在保持電容上電壓值讀齣.該工作過程可以有效消除放大器自身offset產生的影響,減小誤差.通過倣真,該電路在輸齣幅度在400 mV ～1.8V範圍內,誤差小于1％.本電路採用Chartered0.35μm工藝.
개소료일충CMOS봉치보지전로.해전로구유정도고,수출파폭대,구동능력강등특점.전로구유량충공작상태:“독”상태화“사”상태.재“사”상태시,통과OTA추종신호,장수입신호봉치존저도보지전용중.재“독”상태시,장OTA련접성단위증익방대기사용,장존저재보지전용상전압치독출.해공작과정가이유효소제방대기자신offset산생적영향,감소오차.통과방진,해전로재수출폭도재400 mV ～1.8V범위내,오차소우1％.본전로채용Chartered0.35μm공예.
