电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2010年
1期
37-40
,共4页
康劲%孙玲玲%文进才%赵明付%章少杰
康勁%孫玲玲%文進纔%趙明付%章少傑
강경%손령령%문진재%조명부%장소걸
CMOS%输入阻抗匹配%级间匹配%电流复用%低噪声放大器
CMOS%輸入阻抗匹配%級間匹配%電流複用%低譟聲放大器
CMOS%수입조항필배%급간필배%전류복용%저조성방대기
设计了一种新型的全集成的电流复用两级共源低噪声放大器,采用新型输入匹配和一个级联的级间谐振电感实现了低功耗高增益.为了降低芯片面积,两个LC并联网络代替了传统的大电感.这种新型的电流复用结构更有利于输入匹配,降低噪声和功耗.采用SMIC 0.18 μm RF CMOS 工艺制作了一个频率为2.4 GHz,噪声系数1.7 dB,S11为-30 dB,S22为-36 dB,功率增益为23 dB ,反向隔离度小于-35 dB,在1.8 V的供电电压下仅消耗2 mA.
設計瞭一種新型的全集成的電流複用兩級共源低譟聲放大器,採用新型輸入匹配和一箇級聯的級間諧振電感實現瞭低功耗高增益.為瞭降低芯片麵積,兩箇LC併聯網絡代替瞭傳統的大電感.這種新型的電流複用結構更有利于輸入匹配,降低譟聲和功耗.採用SMIC 0.18 μm RF CMOS 工藝製作瞭一箇頻率為2.4 GHz,譟聲繫數1.7 dB,S11為-30 dB,S22為-36 dB,功率增益為23 dB ,反嚮隔離度小于-35 dB,在1.8 V的供電電壓下僅消耗2 mA.
설계료일충신형적전집성적전류복용량급공원저조성방대기,채용신형수입필배화일개급련적급간해진전감실현료저공모고증익.위료강저심편면적,량개LC병련망락대체료전통적대전감.저충신형적전류복용결구경유리우수입필배,강저조성화공모.채용SMIC 0.18 μm RF CMOS 공예제작료일개빈솔위2.4 GHz,조성계수1.7 dB,S11위-30 dB,S22위-36 dB,공솔증익위23 dB ,반향격리도소우-35 dB,재1.8 V적공전전압하부소모2 mA.
