发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2010年
6期
864-869
,共6页
In团簇%InGaN%变温PL%激活能
In糰簇%InGaN%變溫PL%激活能
In단족%InGaN%변온PL%격활능
通过对不同In含量的InGaN/GaN量子阱材料的变温光致发光(PL)谱进行实验分析,得出样品激活能和PL谱峰值能量随温度变化的S形曲线中拐点温度与In含量的关系.说明对于我们的样品,这种S形曲线并不是来源于量子限制Stark效应(QCSE),而是与量子阱中In团簇有关.对比结果表明,含In量越多的材料其局域的能量越大,由热扰动脱离局域所需要的温度越高.
通過對不同In含量的InGaN/GaN量子阱材料的變溫光緻髮光(PL)譜進行實驗分析,得齣樣品激活能和PL譜峰值能量隨溫度變化的S形麯線中枴點溫度與In含量的關繫.說明對于我們的樣品,這種S形麯線併不是來源于量子限製Stark效應(QCSE),而是與量子阱中In糰簇有關.對比結果錶明,含In量越多的材料其跼域的能量越大,由熱擾動脫離跼域所需要的溫度越高.
통과대불동In함량적InGaN/GaN양자정재료적변온광치발광(PL)보진행실험분석,득출양품격활능화PL보봉치능량수온도변화적S형곡선중괴점온도여In함량적관계.설명대우아문적양품,저충S형곡선병불시래원우양자한제Stark효응(QCSE),이시여양자정중In단족유관.대비결과표명,함In량월다적재료기국역적능량월대,유열우동탈리국역소수요적온도월고.
