金刚石与磨料磨具工程
金剛石與磨料磨具工程
금강석여마료마구공정
DIAMOND & ABRASIVES ENGINNERING
2011年
4期
10-14,22
,共6页
金刚石膜%沉积速率%微波等离子体化学气相沉积
金剛石膜%沉積速率%微波等離子體化學氣相沉積
금강석막%침적속솔%미파등리자체화학기상침적
采用微波等离子体化学气相法合成的金刚石膜质量好,但采用常规CH4-H2气体体系,金刚石膜的沉积速率低.为此,实验研究了C2 H5OH-H2、CH4-H2-Ar和CH4-H2-N2等含有活性成分的体系下,微波功率、碳源浓度、气体压力对金刚石膜沉积速率、表面形貌、电阻率的影响.结果表明:使用含氧、氩、氮等活性成分的体系,金刚石膜生长速率分别达0.57、0.59、0.58 μm/h,较常规CH4-H2体系提高了近一倍；并且金刚石膜的纯度高(薄膜表层金刚石C含量80％以上)、晶型好、电阻率高(约为1010 Ω·cm)；同时,氩、氮的加入可显著降低金刚石的晶粒尺寸.因此,引入活性成分是一种提高金刚石膜沉积速率和质量的有效方法.
採用微波等離子體化學氣相法閤成的金剛石膜質量好,但採用常規CH4-H2氣體體繫,金剛石膜的沉積速率低.為此,實驗研究瞭C2 H5OH-H2、CH4-H2-Ar和CH4-H2-N2等含有活性成分的體繫下,微波功率、碳源濃度、氣體壓力對金剛石膜沉積速率、錶麵形貌、電阻率的影響.結果錶明:使用含氧、氬、氮等活性成分的體繫,金剛石膜生長速率分彆達0.57、0.59、0.58 μm/h,較常規CH4-H2體繫提高瞭近一倍；併且金剛石膜的純度高(薄膜錶層金剛石C含量80％以上)、晶型好、電阻率高(約為1010 Ω·cm)；同時,氬、氮的加入可顯著降低金剛石的晶粒呎吋.因此,引入活性成分是一種提高金剛石膜沉積速率和質量的有效方法.
채용미파등리자체화학기상법합성적금강석막질량호,단채용상규CH4-H2기체체계,금강석막적침적속솔저.위차,실험연구료C2 H5OH-H2、CH4-H2-Ar화CH4-H2-N2등함유활성성분적체계하,미파공솔、탄원농도、기체압력대금강석막침적속솔、표면형모、전조솔적영향.결과표명:사용함양、아、담등활성성분적체계,금강석막생장속솔분별체0.57、0.59、0.58 μm/h,교상규CH4-H2체계제고료근일배；병차금강석막적순도고(박막표층금강석C함량80％이상)、정형호、전조솔고(약위1010 Ω·cm)；동시,아、담적가입가현저강저금강석적정립척촌.인차,인입활성성분시일충제고금강석막침적속솔화질량적유효방법.
