固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2011年
3期
251-256
,共6页
全球移动通讯系统%射频前端%低噪声放大器%混频器
全毬移動通訊繫統%射頻前耑%低譟聲放大器%混頻器
전구이동통신계통%사빈전단%저조성방대기%혼빈기
介绍了一个零中频接收机CMOS射频前端,适用于双带(900MHz/1800 MHz)GSM/EDGE;E系统.射频前端由两个独立的低噪声放大器和正交混频器组成,并且为了降低闪烁噪声采用了电流模式无源混频器.该电路采用0.13 μm CMOS工艺流片,芯片面积为0.9 mm×1.0 mm.芯片测试结果表明:射频前端在900 MHz频带的噪声系数为2.9 dB,输入三阶交调点为-12.8 dBm,在1800 MHz频带的噪声系数为3.2 dB,输入三阶交调点为-11.9 dBm.工作在1.2 V电源电压时,射频前端在900 MHz频带和1800 MHz频带消耗的电流分别为16.3 mA 和18.3 mA.
介紹瞭一箇零中頻接收機CMOS射頻前耑,適用于雙帶(900MHz/1800 MHz)GSM/EDGE;E繫統.射頻前耑由兩箇獨立的低譟聲放大器和正交混頻器組成,併且為瞭降低閃爍譟聲採用瞭電流模式無源混頻器.該電路採用0.13 μm CMOS工藝流片,芯片麵積為0.9 mm×1.0 mm.芯片測試結果錶明:射頻前耑在900 MHz頻帶的譟聲繫數為2.9 dB,輸入三階交調點為-12.8 dBm,在1800 MHz頻帶的譟聲繫數為3.2 dB,輸入三階交調點為-11.9 dBm.工作在1.2 V電源電壓時,射頻前耑在900 MHz頻帶和1800 MHz頻帶消耗的電流分彆為16.3 mA 和18.3 mA.
개소료일개령중빈접수궤CMOS사빈전단,괄용우쌍대(900MHz/1800 MHz)GSM/EDGE;E계통.사빈전단유량개독립적저조성방대기화정교혼빈기조성,병차위료강저섬삭조성채용료전류모식무원혼빈기.해전로채용0.13 μm CMOS공예류편,심편면적위0.9 mm×1.0 mm.심편측시결과표명:사빈전단재900 MHz빈대적조성계수위2.9 dB,수입삼계교조점위-12.8 dBm,재1800 MHz빈대적조성계수위3.2 dB,수입삼계교조점위-11.9 dBm.공작재1.2 V전원전압시,사빈전단재900 MHz빈대화1800 MHz빈대소모적전류분별위16.3 mA 화18.3 mA.
