半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2008年
5期
741-744,748
,共5页
刘兆伦%赵国生%王伟%侯蓝田%赵兴涛
劉兆倫%趙國生%王偉%侯藍田%趙興濤
류조륜%조국생%왕위%후람전%조흥도
光纤光学%光子晶体光纤%色散%限制损耗%多极法
光纖光學%光子晶體光纖%色散%限製損耗%多極法
광섬광학%광자정체광섬%색산%한제손모%다겁법
设计了一种双层芯双包层结构的大负色散低限制损耗光子晶体光纤,运用多极法对其色散特性和限制损耗进行了数值模拟.主要分析了这种光子晶体光纤的结构参数发生改变时,光纤的色散特性的变化情况,找到了其色散随结构参数变化的规律.最终通过选择适当的结构参数,设计了在1 550 nm波长附近处色散值为-12 000 ps/(km·nm)的大负色散低限制损耗光子晶体光纤.
設計瞭一種雙層芯雙包層結構的大負色散低限製損耗光子晶體光纖,運用多極法對其色散特性和限製損耗進行瞭數值模擬.主要分析瞭這種光子晶體光纖的結構參數髮生改變時,光纖的色散特性的變化情況,找到瞭其色散隨結構參數變化的規律.最終通過選擇適噹的結構參數,設計瞭在1 550 nm波長附近處色散值為-12 000 ps/(km·nm)的大負色散低限製損耗光子晶體光纖.
설계료일충쌍층심쌍포층결구적대부색산저한제손모광자정체광섬,운용다겁법대기색산특성화한제손모진행료수치모의.주요분석료저충광자정체광섬적결구삼수발생개변시,광섬적색산특성적변화정황,조도료기색산수결구삼수변화적규률.최종통과선택괄당적결구삼수,설계료재1 550 nm파장부근처색산치위-12 000 ps/(km·nm)적대부색산저한제손모광자정체광섬.
